[发明专利]一种功率检测电路及检测方法在审
申请号: | 201610060218.5 | 申请日: | 2016-01-28 |
公开(公告)号: | CN105717354A | 公开(公告)日: | 2016-06-29 |
发明(设计)人: | 黄清华;刘磊;路宁;刘海玲 | 申请(专利权)人: | 宜确半导体(苏州)有限公司 |
主分类号: | G01R21/00 | 分类号: | G01R21/00;G01R21/14 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
地址: | 215123 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 检测 电路 方法 | ||
1.一种功率检测电路,用于射频功率放大器输出功率的检测,其特征在于,所述检测电路包括:偏置单元和跟随放大单元;其中,
所述偏置单元包括第一电阻,所述第一电阻的一端作为所述检测电路的参考电压输入端,另一端与所述跟随放大单元连接;
所述跟随放大单元包括第一电容、第一晶体管和滤波模块,所述第一电容的一端作为所述检测电路的射频信号输入端,另一端同时与所述第一电阻及所述第一晶体管的基极电连接;所述第一晶体管的集电极作为所述检测电路的电源输入端,其发射极与所述滤波模块的一端电连接,并作为所述检测电路的信号输出端,所述滤波模块的另一端作为所述检测电路的接地端;
所述偏置单元用于将所述第一晶体管偏置在放大状态,所述第一晶体管对所述射频功率放大器输入的射频信号进行放大后传送给所述滤波模块,所述滤波模块对放大后的射频信号进行滤波后获得输出电压信号,所述输出电压信号通过所述检测电路的信号输出端输出。
2.根据权利要求1所述的检测电路,其特征在于,所述跟随放大单元还包括第二电阻,所述第二电阻接于所述第一电容与所述检测电路射频信号输入端之间,用于使所述检测电路与所述射频功率放大器之间的阻抗匹配。
3.根据权利要求2所述的检测电路,其特征在于,所述偏置单元还包括第二晶体管,所述第二晶体管的第一极接于所述第一电阻一端,其第二极接于所述第一电容和第一晶体管的连接节点。
4.根据权利要求3所述的检测电路,其特征在于,所述偏置单元还包括温度补偿模块,所述温度补偿模块的一端接于所述第一电阻与所述第二晶体管的连接节点,另一端与所述检测电路的接地端电连接,用于为所述检测电路提供温度补偿。
5.根据权利要求4所述的检测电路,其特征在于,所述温度补偿模块包括:第三晶体管、第四晶体管和第三电阻;其中,
所述第三晶体管的第一极接于所述第二晶体管的第一极和第一电阻的连接节点,其第二极同时与所述第四晶体管的第一极电连接;所述第四晶体管的第二极与所述第三电阻的一端电连接,所述第三电阻的另一端作为所述检测电路的接地端;
所述温度补偿模块用于为所述检测电路提供温度补偿。
6.根据权利要求5所述的检测电路,其特征在于,所述第一晶体管为金属-氧化物-半导体晶体管或异质结双极晶体管或高电子迁移率晶体管;
所述第二晶体管为金属-氧化物-半导体晶体管或异质结双极晶体管或高电子迁移率晶体管或基极发射极结二极管;
所述第三晶体管为金属-氧化物-半导体晶体管或异质结双极晶体管或高电子迁移率晶体管或基极发射极结二极管;
所述第四晶体管为金属-氧化物-半导体晶体管或异质结双极晶体管或高电子迁移率晶体管或基极发射极结二极管;
若所述第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管为金属-氧化物-半导体晶体管或异质结双极晶体管或高电子迁移率晶体管,其第一极为基极和集电极,第二极为发射极;若所述第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管为基极发射极结二极管,则其第一极为正极,第二极为负极。
7.根据权利要求5所述的检测电路,其特征在于,所述偏置单元还包括第二电容,所述第二电容的一端接于所述第一电阻、第二晶体管和第三晶体管的连接节点,另一端接于所述检测电路的接地端,用于稳定所述偏置单元的静态工作点。
8.根据权利要求7所述的检测电路,其特征在于,所述检测电路还包括分压单元,所述分压单元包括第四电阻和第五电阻;其中,
所述第四电阻的一端接于所述第一晶体管的发射极与所述滤波模块的连接节点,另一端接于所述检测电路的信号输出端;
所述第五电阻的一端接于所述第四电阻与所述检测电路信号输出端的连接节点,另一端接于所述检测电路的接地端;
所述分压单元用于调节所述输出电压信号的幅值。
9.根据权利要求1所述的检测电路,其特征在于,所述滤波模块包括第三电容和第六电阻,所述第三电容和第六电阻并联,一端与所述第一晶体管的发射极电连接,另一端与所述检测电路的接地端电连接。
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