[发明专利]彩膜基板结构及使用所述结构的液晶显示器在审

专利信息
申请号: 201610055127.2 申请日: 2016-01-26
公开(公告)号: CN105467665A 公开(公告)日: 2016-04-06
发明(设计)人: 李文辉 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/1335 分类号: G02F1/1335;G02F1/1345;G02F1/1362
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 彩膜基 板结 使用 结构 液晶显示器
【说明书】:

【技术领域】

发明涉及一种液晶显示器技术领域,且特别是涉及一种彩膜基板结构 及使用所述结构的液晶显示器。

【背景技术】

由于液晶显示器(liquidcrystaldisplay,LCD)具有低辐射、体积小及低耗能 等优点,因此逐渐取代传统的阴极射线管(cathoderaytube,CRT)显示器,广泛 地应用在笔记型计算机、个人数字助理(personaldigitalassistant,PDA)、平面 电视,或行动电话等信息产品上。

LCD显示器包含薄膜晶体管(thinfilmtransistor,TFT)基板和彩膜基板(彩 色滤光片)。现有的彩膜基板包括黑色矩阵(blackmatrix,BM)、彩色层、公共 电极以及光阻隔离柱(photospacer,PS),公共电极通入的电压与TFT基板的像 素电极的电压形成电场,通过控制电压大小来调整电场,进而控制液晶的旋 转量,以调节光线的穿透。

目前,液晶显示器的显示尺寸越来越大,例如55吋、65吋、85吋以及 110吋,然而在大尺寸的液晶显示器中,由于公共电极是覆盖整个彩色层的 一层透明电极,其电阻较大,导电能力差,随着尺寸增大,较大显示面板中 间的电压与显示面板边缘的电压会有不均匀的现象,造成电场不均匀,使得 显示面板中间与四周的显示形成不均匀的问题,进而影响液晶显示器的显示 品质。因此需要发展一种新式的彩膜基板结构,以解决上述的问题。

【发明内容】

有监于此,本发明的目的在于提供一种彩膜基板结构及使用所述结构的 液晶显示器,通过辅助导电层与公共电极电性连接,以增加彩膜基板结构的 导电能力,使彩膜基板结构面内的电压均匀分布,提供亮度的均匀性,以改 善显示质量。

为达到上述发明目的,本发明的一实施例中提供一种彩膜基板结构,适 用于液晶面板,其特征在于,所述彩膜基板结构包括:一基板;一辅助导电 层,设置于所述基板上,所述辅助导电层包括若干导电接触垫,所述若干导 电接触垫为不透光材质,用以区隔一次像素原色层的不同颜色单元,并且所 述若干导电接触垫用以电性连接一公共电极层;所述次像素原色层,包括红 色单元、绿色单元以及蓝色单元,所述辅助导电层的所述若干导电接触垫用 以隔离所述红色单元、所述绿色单元以及所述蓝色单元;以及所述公共电极 层,设置于所述辅助导电层以及所述次像素原色层上,用以电性连接所述辅 助导电层的所述若干导电接触垫。

在一实施例中,所述彩膜基板结构还包括黑色矩阵层,设置于所述基板 与所述辅助导电层之间,所述辅助导电层设置于所述黑色矩阵层的表面上, 使所述公共电极层在所述黑色矩阵层的表面上电性连接所述辅助导电层。

在一实施例中,所述黑色矩阵层包括若干过孔并且所述辅助导电层的所 述若干导电接触垫相对应嵌入于所述若干过孔中,使所述公共电极层电性连 接所述若干过孔中的所述若干导电接触垫。

在一实施例中,所述辅助导电层的材质是选自导电高分子材质、导电银 浆、金属、导电氧化物以及石墨烯。

在一实施例中,所述辅助导电层的导电率大于所述黑色矩阵层的导电率。

本发明的另一实施例中提供一种彩膜基板结构,适用于液晶面板,所述 彩膜基板结构与所述液晶面板的薄膜晶体管基板相对设置,其特征在于,所 述彩膜基板结构包括:一基板;一辅助导电层,设置于所述基板上,所述辅 助导电层包括若干导电接触垫,并且所述若干导电接触垫用以电性连接一公 共电极;一黑色矩阵层,设置于所述薄膜晶体管基板上,用以区隔一次像素 原色层的不同颜色单元;所述次像素原色层,设置于所述薄膜晶体管基板上, 包括红色单元、绿色单元以及蓝色单元,所述黑色矩阵层用以隔离所述红色 单元、所述绿色单元以及所述蓝色单元;以及所述公共电极层,设置于所述 辅助导电层上,用以电性连接所述辅助导电层的若干导电接触垫。

在一实施例中,所述辅助导电层的材质是选自导电高分子材质、导电银 浆、金属、导电氧化物以及石墨烯。

在一实施例中,当所述辅助导电层的为不透明材质时,所述辅助导电层 对准于所述黑色矩阵层,当所述辅助导电层的为透明材质时,所述辅助导电 层对准或是不对准于所述黑色矩阵层。

在一实施例中,所述辅助导电层的导电率大于所述黑色矩阵层的导电率。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201610055127.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top