[发明专利]一种光斑稳定的大功率半导体激光器

权利要求书

1.一种光斑稳定的大功率半导体激光器,自下至上依次包括衬底、下包层、有源区、上包 层和接触层；其特征是：上包层与接触层上设置有脊型结构，脊型结构的两侧形成沟槽，沟 槽深度小于上包层与接触层的总厚度；接触层上表面除了脊型以外的部分以及沟槽的表面上 包覆有介质膜，介质膜及脊型结构上包覆第一金属电极层，衬底的底面设置有第二金属电极 层；第一金属电极层通过焊料烧结在热沉上，焊料与沟槽的底部设置有空气隔离层。

2.根据权利要求1所述的光斑稳定的大功率半导体激光器，其特征是：所述接触层为重 掺杂Zn的GaAs，掺杂浓度为1×10¹⁹～1×10²⁰cm^-3。

3.根据权利要求1所述的光斑稳定的大功率半导体激光器，其特征是：所述上包层与接 触层的总厚度为2～3μm。

4.根据权利要求1所述的光斑稳定的大功率半导体激光器，其特征是：所述脊型结构的 宽度为50～150μm。

5.根据权利要求1所述的光斑稳定的大功率半导体激光器，其特征是：所述沟槽的宽度 为10～30μm。

6.根据权利要求1所述的光斑稳定的大功率半导体激光器，其特征是：所述脊型结构的 高度为2～3μm。