[发明专利]一种AMOLED显示像素电流补偿电路及其驱动方法在审

专利信息
申请号: 201610036798.4 申请日: 2016-01-19
公开(公告)号: CN105741778A 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 刘立林;孙坤;郭建平;滕东东 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 林伟斌
地址: 510275 *** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 amoled 显示 像素 电流 补偿 电路 及其 驱动 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及显示技术领域,更具体地,涉及一种AMOLED显示像素电流补偿电路及其驱动方法。

背景技术

近些年来,有源有机发光二极管阵列(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode简称:AMOLED)显示以其独特的性能:高效率、高对比度、高亮度、高分辨率、可视角度大和响应速度快,引起研究人员极大的兴趣。

AMOLED显示像素最简单的驱动电路由两个晶体管和一个电容构成(简称“2T-1C”电路,如图1所示),该电路在数据写入周期内输入电压信号,在数据保持周期内由于电容CS的存在,保持驱动晶体管栅极电压为输入电压信号,从而在整个驱动周期内得到持续恒定OLED驱动电流。但是,由于器件制备和老化的不均匀性,导致“2T-1C”电路存在较大的晶体管TFT和OLED特性偏移问题,因此,需要补偿电路提高AMOLED显示像素驱动电路性能。

目前,许多科学家和工程师致力于提出有效的补偿驱动电路,以解决晶体管TFT和OLED特性偏移问题。像素驱动电路补偿技术主要分为两种:电压补偿和电流补偿,其中电流补偿效果优于电压补偿。Li,ChesterC和Ikeda,K等在“Aphysicalpoly-siliconthinfilmtransistormodelforcircuitsimulations[J].IEDM'93.TechnicalDigest.,International,1993,pp.497-500.”中提出了薄膜晶体管TFT的沟道长度调制效应现象,但对于AMOLED显示像素驱动电路中存在的该现象并没有给出解决方案。NathanA和SakariyaK等在“AmorphoussiliconTFTcircuitintegrationforOLEDdisplaysonglassandplastic.proceedingsoftheCustomIntegratedCircuitsConference,2003ProceedingsoftheIEEE2003,F21-24Sept.2003,2003[C].”中提出了基于传统电流镜的电流补偿电路,如图2所示,该像素驱动电路基于传统电流镜的电流补偿作用,提供OLED驱动电流,但其电流补偿电路受到沟道长度调制效应影响。

因此,现有技术中AMOLED显示像素驱动电路仍有如下问题:

(1)现有的基于传统电流镜的电流补偿技术受到晶体管沟道长度调制效应影响,补偿效果存在提高空间。

(2)现有的AMOLED显示像素驱动电路数据输入信号和输出信号不是线性关系或者线性度较低,不利于显示亮度调节。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的至少一种不足,提供一种AMOLED显示像素电流补偿电路及其驱动方法,与基于传统电流镜的电流补偿电路相比较,本发明提出的改进型电流补偿电路,可实现更好的晶体管特性偏移补偿、OLED特性偏移补偿和提高输入信号与输出信号的线性度。

为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:

提供一种AMOLED显示像素电流补偿电路,包括晶体管T1、晶体管T2、晶体管T3、晶体管T4、晶体管T5、晶体管T6、电容CS和OLED;

其中,晶体管T1的漏极和晶体管T5的源极相连;

晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连;

晶体管T2的漏极和晶体管T6的源极相连;

晶体管T6的栅极和晶体管T5的栅极相连;

晶体管T6的漏极和OLED相连;

晶体管T5的漏极和晶体管T4的源极相连;

晶体管T4的源极和晶体管T3的漏极相连;

晶体管T4的漏极和输入电流信号IDATA相连;

晶体管T3的源极与晶体管T1的栅极和晶体管T2的栅极相连后和电容CS相连,或晶体管T3的源极与晶体管T5的栅极和晶体管T6的栅极相连后和电容CS相连;

晶体管T3的栅极和晶体管T4的栅极相连;

晶体管T4的栅极和行选控制信号VSEL相连;

AMOLED像素驱动电路通过电流补偿作用,提供OLED驱动电流。

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