[发明专利]一种用于a-Si/nc-Si叠层太阳电池的双功能复合结构微晶硅氧中间层的制备方法在审
| 申请号： | 201610021195.7 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105655449A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 严辉;杜敏永;张铭;俞凤至;张悦;张永哲;张林睿;郁操;蓝仕虎;张津岩;徐希翔;李沅民 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/20 | 分类号： | H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 si nc 太阳电池 功能 复合 结构 微晶硅氧 中间层 制备 方法 | ||
1.一种用于a-Si/nc-Si叠层太阳电池的双功能复合结构微晶硅氧中间层的制备方 法，其特征在于，双功能复合结构微晶硅氧中间层为三层结构，利用等离子体 增强化学气相沉积(PECVD)方法制备，具体包括以下步骤：
a)以SiH4、H2和PH3为反应气体，在高氢气稀释比状态下在a-Si表面上生 长n型微晶硅薄层；
b)以SiH4、H2、PH3和CO2为反应气体，在步骤a)制备的n型微晶硅层上 生长微晶硅氧中间层薄膜；
c)以SiH4、H2和PH3为反应气体，在高氢气稀释比状态下在步骤b)微晶 硅氧中间层薄膜上生长与a)相同的n型微晶硅薄层；因而形成三层复合 结构。
2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，n型微晶硅薄层的制备为在高氢 气稀释比下生长的，射频或甚高频功率密度为250mW/cm2-450mW/cm2，生长n 型微晶硅薄层时H2与SiH4的体积流量比为130:1-150:1；PH3与SiH4体积流量 百分比在2％～3％之间。
3.按照权利要求2所述的方法，其特征在于，射频或甚高频功率密度 250mW/cm2-380mW/cm2。
4.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤b)生长微晶硅氧中间层时 H2与SiH4的体积流量比为200:1-250:1。生长微晶硅氧中间层的射频或甚高频功 率密度为450-500mW/cm2；生长微晶硅氧中间层的CO2与SiH4的体积流量比为 (1.60-2.5):1；PH3与SiH4体积流量百分比在3％～5％之间。
5.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，生长微晶硅氧中间层时腔室压力 为3mbar。
6.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，制备过程中，背底真空高于10-3Pa， 衬底温度为200℃。
7.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤a)中在a-Si表面生长n型 微晶硅薄层是在高氢气稀释比状态下，在生长完n型微晶硅薄层后，生长微晶 硅氧中间层之前，PECVD腔室不破空。
8.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，n型微晶硅薄层的厚度为5-10nm； 生长的微晶硅氧中间层的厚度为60nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
