[发明专利]一种量子点荧光防伪纸的制备方法在审
申请号: | 201610020586.7 | 申请日: | 2016-01-12 |
公开(公告)号: | CN105672038A | 公开(公告)日: | 2016-06-15 |
发明(设计)人: | 李军荣;卞喻;何北海;欧阳灿 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | D21H21/48 | 分类号: | D21H21/48;D21H23/32;D21H17/63;D21H17/00 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 雷月华;杨燕瑞 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 荧光 防伪 制备 方法 | ||
1.一种量子点荧光防伪纸的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:将制 备量子点的反应物溶于溶剂中,然后加入纤维素活化剂,制得悬浮液;将悬浮 液移入高压釜中,加入纤维素材料,纤维素材料浸渍在悬浮液中,然后于100℃ ~200℃进行反应8~24h,制得量子点荧光防伪纸。
2.根据权利要求1所述的一种量子点荧光防伪纸的制备方法,其特征在于, 所述量子点在纤维素的表面分布均匀,颗粒大小均一,尺寸在1~10nm。
3.根据权利要求1所述的一种量子点荧光防伪纸的制备方法,其特征在于, 所述的量子点为无机半导体量子点或碳量子点。
4.根据权利要求3所述的一种量子点荧光防伪纸的制备方法,其特征在于, 所述无机半导体量子点为元素周期表II-VI族、III-V族、IV-VI族或IV族半导 体化合物制备的量子点或是其对应的核壳结构量子点;所述核壳结构量子点为 以所述的II-VI族、III-V族、IV-VI族或IV族半导体化合物为核,以CdSe、CdS、 ZnSe、ZnS、CdO、ZnO、SiO2中的一种或多种为壳的核壳结构量子点。
5.根据权利要求3所述的一种量子点荧光防伪纸的制备方法,其特征在于, 所述碳量子点是由碳纳米管、石墨、炭黑、活性炭、糖类、淀粉或碳纤维为碳 源制得的尺寸在1~10nm类球形的纳米颗粒。
6.根据权利要求1所述的一种量子点荧光防伪纸的制备方法,其特征在于, 所述溶剂为水和/或乙醇;所述纤维素活化剂为聚乙烯亚胺。
7.根据权利要求1所述的一种量子点荧光防伪纸的制备方法,其特征在于, 所述的纤维素材料为天然纤维素。
8.根据权利要求7所述的一种量子点荧光防伪纸的制备方法,其特征在于, 所述天然纤维素为滤纸。
9.根据权利要求1所述的一种量子点荧光防伪纸的制备方法,其特征在于, 所述纤维素材料为通过氧化、酯化、醚化或接枝共聚反应对纤维素的羟基进行 改性后的改性纤维素。
10.根据权利要求1所述的一种量子点荧光防伪纸的制备方法,其特征在 于,所述制备方法还包括将制得的量子点荧光防伪纸用去离子水和无水乙醇分 别洗涤若干次,然后再干燥。
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