[发明专利]一种彩膜基板、内嵌式触控显示装置在审
申请号: | 201610004884.7 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN105425458A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 孙乐;方业周;潘正文;张伟;张琨鹏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335;G02F1/1333;G06F3/041 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 彩膜基板 内嵌式触控 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种彩膜基板、内嵌式触控显示装置。
背景技术
LCD(LiquidCrystalDisplay,液晶显示器)包括对盒的阵列基板和彩膜基板、以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶。在液晶显示器的制作和使用过程中,彩膜基板极易产生静电。当静电积累到一定程度后会产生静电场,该静电场会干扰液晶分子的排布,从而导致显示画面异常;甚至还有可能击穿阵列基板上的电路板,引起显示器的损坏,所以消除静电对液晶显示器非常重要。
现有技术中主要通过在彩膜基板的衬底和偏光片之间设置一面状的透明导电防静电层,通过涂敷导电银胶将防静电层与阵列基板上的接地端连接,从而将静电导出以达到消除静电的效果。
然而随着内嵌式触控技术的不断发展,上述防止静电的方法在一些内嵌式触控显示器中难以应用。以FullInCell(完全内嵌式)触控显示器为例进行说明,FullInCell触控显示器可以基于自电容原理,采用单层触控走线设计,将触控单元嵌入到液晶像素中,借助手指与触控单元形成电容的方式来实现触控显示。那么,若在该触控显示器的彩膜基板的衬底和偏光片之间设置有防静电层,当手指触摸该触控显示器时,防静电层会影响手指与触控单元之间形成电容,进而降低触控效果。因此,在不影响触控功能的前提下,消除此类触控显示器的静电问题已成为重要的研究课题。
发明内容
本发明的实施例提供一种彩膜基板、内嵌式触控显示装置,该内嵌式触控显示装置能够在不影响触控功能的前提下消除静电,具有较强的抗静电能力。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一方面,提供了一种彩膜基板,包括显示区域和包围所述显示区域的非显示区域,所述彩膜基板还包括导电的防静电层,所述防静电层仅设置在所述非显示区域。
可选的,所述彩膜基板还包括衬底以及位于所述衬底之上的黑矩阵,所述黑矩阵与所述防静电层位于所述衬底的同一侧。
可选的,所述防静电层位于所述黑矩阵之上、且与所述黑矩阵相接触。
可选的,所述彩膜基板还包括平坦层、位于所述平坦层之上的取向膜和导电单元,所述平坦层覆盖设置有所述防静电层的衬底,所述彩膜基板还包括过孔,所述过孔贯穿所述平坦层和所述取向膜,所述导电单元通过所述过孔与所述防静电层相连。
可选的,所述彩膜基板还包括导电单元,所述导电单元通过所述过孔与所述防静电层相连。
可选的,所述彩膜基板还包括位于所述黑矩阵之上的取向膜,所述防静电层与所述取向膜相接触且位于所述取向膜之上。
可选的,所述防静电层为环状且围绕所述显示区域的一周。
可选的,所述防静电层的材料为金属或金属氧化物。
本发明的实施例提供了一种彩膜基板,该彩膜基板包括显示区域和包围显示区域的非显示区域,该彩膜基板还包括导电的防静电层,防静电层仅设置在非显示区域;将该彩膜基板应用到内嵌式触控显示装置中,由于防静电层仅位于非显示区域,那么,用户手指触摸该触控显示装置时,防静电层不会影响手指与触控单元之间形成电容,同时能够将静电导出;因此,包括该彩膜基板的内嵌式触控显示装置能够在不影响触控功能的前提下消除静电,具有较强的抗静电能力。
另一方面,提供了一种内嵌式触控显示装置,包括阵列基板,所述显示装置还包括上述任一项所述的彩膜基板;其中,所述彩膜基板的防静电层与所述阵列基板的第一接地端电连接。
可选的,所述显示装置还包括:第二接地端和驱动电路模块;
所述第二接地端设置在所述阵列基板与所述彩膜基板相对的位置上;所述驱动电路模块设置在所述阵列基板与所述彩膜基板不相对的侧边上,所述第一接地端集成在所述驱动电路模块中;所述第一接地端和所述第二接地端电连接。
可选的,在所述彩膜基板包括衬底以及依次设置在所述衬底靠近所述阵列基板一侧的黑矩阵、防静电层、平坦层和取向膜,所述彩膜基板还包括过孔,所述过孔贯穿所述平坦层和所述取向膜以露出所述防静电层的情况下,所述显示装置还包括导电单元,所述导电单元的一端通过所述过孔与所述防静电层相连,另一端与所述第二接地端相连。
可选的,在所述彩膜基板包括衬底以及依次设置在所述衬底靠近所述阵列基板一侧的黑矩阵、取向膜和防静电层的情况下,所述防静电层与所述第二接地端相连。
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