[发明专利]使用激光图案化制造阴影掩膜的装置和使用激光图案化制造阴影掩膜的方法有效
| 申请号: | 201580077730.4 | 申请日: | 2015-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN107427964B | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
| 发明(设计)人: | 朴钟甲;金度勋;金范相 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;B23K26/362;B23K26/06;B23K26/064;B23K26/066;B23K26/067 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 王小衡;王天鹏 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 使用 激光 图案 制造 阴影 装置 方法 | ||
1.一种使用激光图案化来制造具有精细掩膜图案的阴影掩膜的装置,所述装置包括:
光束供应单元,其供应激光束;
光束控制单元,其控制来自所述光束供应单元的激光束的位置和尺寸;
衍射光学单元,其将所述激光束分割成具有均匀强度分布的多个激光束;
遮掩构件,其具有遮掩图案,所述遮掩图案分别对应于使被分割的激光束通过的掩膜图案,并且所述遮掩构件遮蔽所述激光束的边缘;
变焦透镜单元,其调整穿过所述遮掩构件的激光束的图案间距和尺寸;以及
投影单元,其以预定的缩小率将穿过所述变焦透镜单元的激光束发送到基座,
其中所述遮掩构件包括多个遮掩构件,其被设置成使得遮掩图案具有不同的宽度,并且具有小宽度的遮掩图案被布置为靠近所述基座,使得激光束逐步穿过所述遮掩图案。
2.根据权利要求1所述的装置,其中来自所述光束供应单元的激光束是用于加工金属的具有几十飞秒和几百纳秒之间的脉冲宽度的脉冲激光束。
3.根据权利要求1所述的装置,其中所述光束供应单元包括激光器和被布置在所述激光器的输出端口周围并将激光束发送到所述光束控制单元的多个反射镜。
4.根据权利要求1所述的装置,其中所述光束控制单元包括自动补偿激光束的位置的光束稳定模块和调整激光束尺寸的光束扩展器。
5.根据权利要求4所述的装置,其中所述光束稳定模块包括传感器,其感测激光束的位置和电动机上的多个反射镜并且自动补偿激光束的位置。
6.根据权利要求1所述的装置,其中所述衍射光学单元包括:衍射光学元件,其包括光束整形器和分束器;以及聚焦透镜单元,其将分割的激光束发送到为聚焦侧的遮掩构件。
7.根据权利要求6所述的装置,其中由所述衍射光学元件的分束器将激光束分割成一至五百个激光束,并且被分割的激光束的间隙是由所述衍射光学元件形成的图案的尺寸的0.1至50倍。
8.根据权利要求7所述的装置,其中,根据在所述基座上形成的掩膜图案的尺寸由所述投影单元以1至50倍的光学缩小率来确定由所述衍射光学元件制作的图案的尺寸。
9.根据权利要求1所述的装置,其中所述遮掩图案是同轴布置的。
10.根据权利要求1所述的装置,其中所述遮掩构件包括具有相应遮掩图案的多个遮掩构件,其中
所述遮掩图案是垂直地通过所述遮掩构件的预定区域形成的并且具有不同宽度的开口,并且激光束被数次传送通过所述遮掩构件。
11.根据权利要求1所述的装置,其中所述变焦透镜具有±70%的变焦范围。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的装置,其中,在所述基座上形成其内径向下减小的掩膜图案。
13.一种使用激光图案化来制造具有精细掩膜图案的阴影掩膜的装置,所述装置包括:
光束供应单元,其供应激光束;
光束控制单元,其控制来自所述光束供应单元的激光束的位置和尺寸;
衍射光学单元,其将所述激光束分割成具有均匀强度分布的多个激光束;
遮掩构件,其具有遮掩图案,所述遮掩图案分别对应于使被分割的激光束通过的掩膜图案,并且所述遮掩构件遮蔽所述激光束的边缘;
变焦透镜单元,其调整穿过所述遮掩构件的激光束的图案间距和尺寸;以及
投影单元,其以预定的缩小率将穿过所述变焦透镜单元的激光束发送到基座,
其中所述遮掩构件包括多个遮掩构件,所述多个遮掩构件是具有多个遮掩图案的相移掩膜,所述多个遮掩图案具有不同宽度,并且能够移动激光束的相位以衰减强度,并且
激光束被传送通过以下遮掩图案:所述相位能够借由该遮掩图案而被移动。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备





