[发明专利]同步加速器用入射器系统及漂移管直线加速器的运转方法

权利要求书

1.一种同步加速器用入射器系统，是将入射至同步加速器的离子射出的同步加速器用入射器系统，其特征在于，包括：

第一离子源，该第一离子源产生第一离子；

第二离子源，该第二离子源产生比所述第一离子的荷质比q1/A1小的荷质比q2/A2的第二离子；

漂移管直线加速器，该漂移管直线加速器包括圆筒谐振器、以及以直线状排列于该圆筒谐振器的圆筒轴向的多个漂移管，在通过这些多个漂移管形成的多个漂移管间隙中产生的高频电场成为加速相位的高频的半周期即加速半周期期间对离子进行加速；

高频发生器，该高频发生器向所述漂移管直线加速器提供高频功率；以及

低能射束传输路径，该低能射束传输路径使所述第一离子和所述第二离子中的任一种离子入射至所述漂移管直线加速器，

所述高频发生器在所述低能射束传输路径使所述第一离子入射的情况下，向所述漂移管直线加速器提供高频功率，使得在所述多个漂移管间隙中的一个漂移管间隙中使所述第一离子加速的加速半周期、与被加速的该第一离子到达所述一个漂移管间隙的相邻的漂移管间隙而被加速的加速半周期的相位差成为第一加速周期差，该高频发生器在所述低能射束传输路径使所述第二离子入射的情况下，向所述漂移管直线加速器提供高频功率，使得在所述一个漂移管间隙中使所述第二离子加速的加速半周期、与被加速的该第二离子到达所述一个漂移管间隙的相邻的漂移管间隙而被加速的加速半周期的相位差即第二加速周期差大于所述第一加速周期差。

2.如权利要求1所述的同步加速器用入射器系统，其特征在于，

所述漂移管直线加速器是APF-IH型漂移管直线加速器，所述第一加速周期差是0.5周期，所述第二加速周期差是(0.5+n)周期，n为正整数。

3.如权利要求2所述的同步加速器用入射器系统，其特征在于，

在所述漂移管中包括利用磁场的集束设备。

4.如权利要求1所述的同步加速器用入射器系统，其特征在于，

所述漂移管直线加速器是阿尔瓦雷斯型漂移管直线加速器，所述第一加速周期差是1周期，所述第二加速周期差是(1+n)周期，n为正整数。

5.如权利要求1至4中任一项所述的同步加速器用入射器系统，其特征在于，

在所述漂移管设有向所述漂移管间隙突出的电极，在所述漂移管间隙形成有四极电场。

6.如权利要求1至4中任一项所述的同步加速器用入射器系统，其特征在于，

所述第一离子是质子，所述第二离子是四价碳离子。

7.一种漂移管直线加速器的运转方法，该漂移管直线加速器包括圆筒谐振器、以及以直线状排列于该圆筒谐振器的圆筒轴向上的多个漂移管，在通过这些多个漂移管形成的多个漂移管间隙中产生的高频电场成为加速相位的高频的半周期即加速半周期期间，对第一离子、或比所述第一离子的荷质比q1/A1小的荷质比q2/A2的第二离子中的任一种离子进行加速，该漂移管直线加速器的运转方法的特征在于，

以如下方式进行运转：在对所述第一离子加速的情况下，向所述漂移管直线加速器提供高频功率，使得在所述多个漂移管间隙中的一个漂移管间隙中使所述第一离子加速的加速半周期、与被加速的该第一离子到达所述一个漂移管间隙的相邻的漂移管间隙而被加速的加速半周期的相位差成为第一加速周期差，

在对所述第二离子加速的情况下，向所述漂移管直线加速器提供高频功率，使得在所述一个漂移管间隙中使所述第二离子加速的加速半周期、与被加速的该第二离子到达所述一个漂移管间隙的相邻的漂移管间隙而被加速的加速半周期的相位差即第二加速周期差大于所述第一加速周期差。

8.如权利要求7所述的漂移管直线加速器的运转方法，其特征在于，

所述漂移管直线加速器是APF-IH型漂移管直线加速器，以所述第一加速周期差是0.5周期，所述第二加速周期差是(0.5+n)周期的方式运转，n为正整数。