[发明专利]光刻图案化工艺和在其中使用的抗蚀剂

权利要求书

1.一种抗蚀剂组合物，包括：

纳米粒子形式的钙钛矿材料的抗蚀剂膜；以及

有机配体，与所述纳米粒子混合并且键合所述纳米粒子，其中所述有机配体包括在暴露于EUV辐射时能够解离的反应性基团，其中所述反应性基团选自由羧酸基团、膦酸酯基团、磺酰基团、草酸酯基团、碳酸酯基、叠氮化物基团和亚硝酸酯基团构成的组。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂组合物，其中所述钙钛矿材料包括卤化物组分X。

3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂组合物，其中所述钙钛矿材料是有机金属卤化物钙钛矿。

4.根据权利要求2所述的抗蚀剂组合物，其中所述钙钛矿材料具有有着选自ABX₃、A₂BX₄或ABX₄的化学式的结构，其中A是包含NH₃基团的化合物，B是金属并且X是所述卤化物组分。

5.根据权利要求1、2和4中的任一项所述的抗蚀剂组合物，其中所述钙钛矿材料包括所述钙钛矿材料的混合物。

6.根据权利要求4所述的抗蚀剂组合物，其中A选自由C_XH_X+2NH₃、C₆H₅C_xH_2xNH₃、NH₃C_xH_2xNH₃和NH₂CHNH₃及其组合构成的组，其中x是在从1到5的范围内的整数。

7.根据权利要求4所述的抗蚀剂组合物，其中B是选自由Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Mn²⁺、Fe²⁺、以及Pb²⁺、Sn²⁺、Cu²⁺、Mn²⁺、Fe²⁺的混合金属构成的组的金属。

8.根据权利要求2、4、6和7中的任一项所述的抗蚀剂组合物，其中X是选自由I、Br、F和Cl构成的组的卤化物组分。

9.根据权利要求2或4所述的抗蚀剂组合物，其中所述钙钛矿材料是

分子式为CH₃NH₃PbX₃的甲基铵卤化铅钙钛矿，和/或

分子式为CH₃NH₃PbX₃的乙基铵卤化铅钙钛矿，

其中所述卤化物组分选自I、Br或Cl。