[发明专利]离子导体及其制造方法在审
| 申请号： | 201580069688.1 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN107112065A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 野上玄器;谷口贡;宇根本笃;松尾元彰;折茂慎一 | 申请（专利权）人： | 三菱瓦斯化学株式会社;东北泰克诺亚奇股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/06 | 分类号： | H01B1/06;H01B1/10;H01B13/00;H01M10/0562 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 导体 及其 制造 方法 | ||
1.一种离子导体，其特征在于：
包含锂Li、硼氢根BH4-、磷P和硫S，且在X射线衍射中至少在2θ＝14.4±1.0度、15.0±1.0度、24.9±1.0度、29.2±1.5度、30.3±1.5度、51.1±2.5度和53.5±2.5度处具有衍射峰，其中，所述X射线衍射为CuKα：的X射线衍射。
2.一种离子导体的制造方法，其特征在于，包括：
将LiBH4和P2S5以LiBH4﹕P2S5＝x﹕(1－x)的摩尔比混合得到混合物的步骤，式中，x大于0.85且为0.98以下；和
对所述混合物进行加热处理的步骤，
所述离子导体包含锂Li、硼氢根BH4-、磷P和硫S，且在X射线衍射中至少在2θ＝14.4±1.0度、15.0±1.0度、24.9±1.0度、29.2±1.5度、30.3±1.5度、51.1±2.5度和53.5±2.5度处具有衍射峰，其中，所述X射线衍射为CuKα：的X射线衍射。
3.如权利要求2所述的离子导体的制造方法，其特征在于：
所述加热处理的温度为50℃～300℃。
4.如权利要求3所述的离子导体的制造方法，其特征在于：
所述加热处理的温度为60℃～200℃。
5.如权利要求2～4中任一项所述的离子导体的制造方法，其特征在于：
所述混合在不活泼气体气氛下进行。
6.一种全固体电池用固体电解质，其特征在于：
包含权利要求1所述的离子导体。
7.一种全固体电池，其特征在于：
使用权利要求6所述的全固体电池用固体电解质。
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