[发明专利]显示装置

说明书

本发明的显示装置(100A)的第一基板(10)具有TFT(2)，该TFT(2)设于各像素中，且具有氧化物半导体层。第二基板(20)具有彩色滤光片层(22)及遮光层(21)。彩色滤光片层(22)中所含的第一彩色滤光片、第二彩色滤光片及第三彩色滤光片中的至少一个为，对波长450nm以下的可见光的平均透射率为0.2％以下。遮光层在彩色滤光片的像素中，(a)具有薄膜晶体管遮光部(21t)，其沿着沟道长度方向(DL)延伸，且具有氧化物半导体层的沿着沟道宽度方向(DW)的长度以下的宽度；或者(b)具有薄膜晶体管遮光部，其沿着沟道宽度方向延伸，且具有氧化物半导体层的沿着沟道长度方向的长度以下的宽度；或者(c)不具有薄膜晶体管遮光部。

技术领域

本发明是有关于一种显示装置，尤其是有关于一种包括具有氧化物半导体层的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的显示装置。

背景技术

液晶显示装置等中所用的有源矩阵(active matrix)基板在每个像素中包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor，以下称作“TFT”)等开关(switching)元件。作为这种开关元件，已知有使用氧化物半导体层来作为活性层的TFT(以下称作“氧化物半导体TFT”)。专利文献1中揭示了一种液晶显示装置，其在TFT的活性层中使用InGaZnO(包含铟、镓、锌的氧化物)。

氧化物半导体TFT能够以比非晶硅(amorphous silicon)TFT高的速度进行动作。另外，氧化物半导体膜是以比多晶硅膜简便的制程(process)而形成，因此也可以适用于需要大面积的装置。因此，氧化物半导体TFT作为可抑制制造步骤数或制造成本(cost)地制造高功能的有源元件而受到期待。

另外，由于氧化物半导体的迁移率高，因此与先前的非晶硅TFT相比，即使将尺寸小型化，也能够获得同等以上的功能。因此，若使用氧化物半导体TFT来制造显示装置的有源矩阵基板，则可使像素内的TFT的占有面积率下降，从而可提高像素开口率。因此，即使抑制背光(backlight)的光量，也可以进行明亮的显示，从而可实现低消耗电力。

进而，氧化物半导体TFT的泄漏(off leak)特性优异，因此，也可以利用使图像的改写(确认术语)频率下降而进行显示的动作模式(mode)。例如，在静态图像显示等时，可以下述方式进行动作，即，以1秒1次的频率来改写图像数据。这种驱动方式被称中止驱动或低频驱动等，可大幅削减显示装置的消耗电力。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2012-134475号公报

专利文献2：日本专利特开2011-66375号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题

如上所述，通过使用氧化物半导体TFT，与使用非晶硅TFT的情况相比，尽管可实现开口率的提高，但在最近，显示装置的高精细化进一步发展，迫切期望开口率的进一步提高。

然而，由于以下原因，包括氧化物半导体TFT的显示装置中的开口率的进一步提高存在困难。

氧化物半导体TFT会因光的照射而导致其TFT特性发生劣化(参照专利文献2)。具体而言，阈值电压发生负漂移(minus shift)。因此，在包括氧化物半导体TFT的显示装置中，设置于对向基板(以与有源矩阵基板对向的方式设置)侧的黑矩阵(black matrix)(遮光层)包含与氧化物半导体TFT重叠的区域，通过该区域(薄膜晶体管遮光部)来对氧化物半导体TFT进行遮光。该薄膜晶体管遮光部会妨碍开口率的进一步提高。

本发明是鉴于所述问题而完成，其目的在于提高包括氧化物半导体TFT的显示装置的开口率。

用于解决技术问题的技术方案