[发明专利]反射镜装置有效
申请号: | 201580069606.3 | 申请日: | 2015-12-15 |
公开(公告)号: | CN107111246B | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | Y.萨罗夫;M.霍尔兹;F.哈克;M.C.温格勒;M.豪夫 | 申请(专利权)人: | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 装置 | ||
1.一种反射镜装置(29),包括
1.1.具有反射镜体(35)的至少一个反射镜(27),所述反射镜体(35)具有
1.1.1.朝前的前侧,
1.1.2.后侧(21),以及
1.1.3.至少一个侧表面(22),以及
1.2.至少两个分开的导电屏蔽元件(25),
1.2.1.能够通过至少两个供电线路(64)对所述至少两个分开的导电屏蔽元件(25)施加不同电压(Ur1,Ur2);并且
1.2.2.所述至少两个分开的导电屏蔽元件(25)形成在与所述至少一个侧表面(22)和/或所述后侧(21)相邻的区域中产生电场的机构。
2.如权利要求1所述的反射镜装置(29),其特征在于,所述导电屏蔽元件(25)中的至少一个布置在所述至少一个侧表面(22)的区域中和/或在所述反射镜(27)的所述后侧(21)上或后面的区域中。
3.如权利要求1或2所述的反射镜装置(29),其特征在于电压源(63),所述电压源(63)对所述导电屏蔽元件(25)中的至少一个施加-300V至300V范围内的电压。
4.如权利要求1或2所述的反射镜装置(29),其特征在于控制装置(60),所述控制装置(60)控制对所述导电屏蔽元件(25)中的至少一个所施加的电压。
5.如权利要求1或2所述的反射镜装置(29),其特征在于,能够通过所述反射镜体(35)中的供电线路对所述导电屏蔽元件(25)施加电压(Ur1,Ur2)。
6.如权利要求1或2所述的反射镜装置(29),其特征在于,至少两个导电屏蔽元件(25)布置在所述反射镜体(35)中的一个的不同侧表面(22)中或上。
7.如权利要求1或2所述的反射镜装置(29),其特征在于,所述反射镜装置包括多个反射镜(27)。
8.如权利要求7所述的反射镜装置(29),其特征在于,至少一个导电屏蔽元件(25)分别布置在两个相邻反射镜(27)之间的空隙后面的区域中。
9.如权利要求7所述的反射镜装置(29),其特征在于,两个导电屏蔽元件(25)分别成对布置在相邻反射镜(27)的相对的侧表面(22)的区域中。
10.一种投射曝光设备(1)的照明光学单元(4),包括至少一个如权利要求1至9中任一项中所述的反射镜装置(29)。
11.一种微光刻投射曝光设备(1)的照明系统(2),包括
11.1.如权利要求10所述的照明光学单元(4),以及
11.2.产生照明辐射(10)的辐射源(3)。
12.一种微光刻投射曝光设备(1),包括
12.1.如权利要求10所述的照明光学单元(4),以及
12.2.投射光学单元(7),所述投射光学单元(7)将照明辐射(10)从物场(5)投射到像场(8)中。
13.一种制造微结构化或纳米结构化部件的方法,
13.1.提供掩模母版(30),
13.2.提供晶片,所述晶片具有对照明辐射(10)敏感的涂层,
13.3.借助于如权利要求12所述的微光刻投射曝光设备(1),将所述掩模母版(30)的至少一个区段投射到所述晶片上,
13.4.将所述晶片上已经由所述照明辐射(10)曝光的光敏层显影。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡尔蔡司SMT有限责任公司,未经卡尔蔡司SMT有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580069606.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。