[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法有效
| 申请号： | 201580067655.3 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN107004500B | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 三野修嗣 | 申请（专利权）人： | 日立金属株式会社 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F3/24;C22C33/02;H01F1/057;H01F1/08;B22F3/00;C22C38/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 烧结 磁体 制造 方法 | ||
1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于，包括：
准备R－T－B系烧结磁体的工序；和
在所述R－T－B系烧结磁体的表面存在有RLM合金粉末和含有RH氧化物粉末和树脂成分的片状成型体的状态下，在所述R－T－B系烧结磁体的烧结温度以下进行热处理的工序，其中，RL为Nd和/或Pr，M为选自Cu、Fe、Ga、Co、Ni、Al中的1种以上的元素，RH为Dy和/或Tb，
所述RLM合金含有50原子％以上的RL，并且所述RLM合金的熔点在所述热处理的温度以下，
所述热处理在所述RLM合金的粉末和所述RH氧化物的粉末以RLM合金﹕RH氧化物＝9.6﹕0.4～5﹕5的质量比率存在于所述R－T－B系烧结磁体表面的状态下进行。
2.如权利要求1所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：
存在于所述R－T－B系烧结磁体表面的含有所述RH氧化物粉末和树脂成分的片状成型体中的RH的质量在每1mm2的所述表面为0.03～0.35mg。
3.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：
包括在所述R－T－B系烧结磁体表面涂布形成RLM合金粉末颗粒层，在该颗粒层上配置含有所述RH氧化物粉末和树脂成分的片状成型体的工序。
4.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：
包括在所述R－T－B系烧结磁体表面配置含有RLM合金粉末和树脂成分的片状成型体，在该片状成型体上配置含有RH氧化物粉末和树脂成分的片状成型体的工序。
5.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：
包括在所述R－T－B系烧结磁体表面配置含有RLM合金粉末和RH氧化物粉末的混合粉末与树脂成分的片状成型体的工序。
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