[发明专利]光伏模块及用于产生其的方法在审
申请号: | 201580065815.0 | 申请日: | 2015-11-27 |
公开(公告)号: | CN107210327A | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
发明(设计)人: | O.伦德伯格 | 申请(专利权)人: | 索里布罗研究公司 |
主分类号: | H01L31/0465 | 分类号: | H01L31/0465;H01L31/0749 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人: | 严志军,谭祐祥 |
地址: | 瑞典乌*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 模块 用于 产生 方法 | ||
1.用于产生光伏模块(101)的方法,包括:
将接触层(103)沉积(701)在基底(102)上;
形成(702)穿过所述接触层(103)的第一间隙(104),使得限定第一触头(105)和第二触头(106),且所述第一触头(105)和第二触头(106)通过所述第一间隙(104)与彼此隔离开且具有面向彼此的侧壁,其中所述第一触头(105)是用于第一光伏电池(107)的底部触头,且所述第二触头(106)是用于第二光伏电池(108)的底部触头;
将光伏叠层(109)沉积(703)在所述基底(102)上;
形成(704)穿过所述光伏叠层(109)的第二间隙(110),所述第二间隙(110)与所述第一间隙(109)平行且重叠,使得在所述第一光伏电池(109)与所述第二光伏(108)电池之间形成所述光伏叠层(109)中的间隙,且所述第二触头(106)的上侧的接触区域(112)变为可从上方接近,其中所述第二间隙(110)布置成使得所述第一触头(105)的面向所述第二触头(106)的侧壁且与其相对的侧壁的至少一部分由所述光伏叠层(109)覆盖;
形成(705)接触指(111),所述接触指(111)从所述第一光伏电池(107)的光伏叠层(109)的顶部延伸至可从上方接近的所述第二触头(106)的接触区域(112),由此所述第一光伏电池(107)和所述第二光伏电池(108)变为串联互连。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,形成穿过所述光伏叠层(109)的第二间隙(110)的步骤包括:
形成穿过所述光伏叠层(109)的第二凹槽(115),使得所述第二凹槽与所述第一间隙(104)至少部分地重叠;
形成穿过所述光伏叠层(109)的第二孔(116),其中所述第二孔(116)与所述第二凹槽(115)至少部分地重叠。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,形成穿过所述接触层(103)的第一间隙(104)的步骤包括:
形成穿过所述接触层(103)的第一凹槽(113);
形成穿过所述接触层(103)的第一孔(114),其中所述第一孔(114)与所述第一凹槽(113)至少部分地重叠。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第一孔(114)和所述第二孔(116)在彼此旁边。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述第一孔(114)的第一中心点和所述第二孔(116)的第二中心点位于垂直于所述第一凹槽(113)和所述第二凹槽(114)的中心线(117)上。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,接触指(111)的所述形成(705)构造成平行于所述中心线(117)形成所述接触指(111)。
7.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一凹槽(113)和所述第一孔(114)的所述形成同时执行。
8.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述第一凹槽(113)和所述第一孔(114)的所述形成使用机械手段同时执行。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,光伏叠层(109)在所述基底(102)上的所述沉积(703)包括形成带有ZAO顶层的CIGS叠层作为顶部触头。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索里布罗研究公司,未经索里布罗研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580065815.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种闹钟启动和关闭方法及装置
- 下一篇:基于闹钟的安全监护方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的