[发明专利]具有板状分立元件的电存储系统、分立元件、其制造方法及其应用

权利要求书

1.一种厚度小于2mm的电存储系统，其包含至少一个板状分立元件，其特征在于，相对于过渡金属或过渡金属的离子、尤其钛的侵蚀，所述板状分立元件具有高的耐受性，其中，所述板状分立元件含钛。

2.一种电存储系统，优选根据权利要求4所述的电存储系统，其特征在于，所述至少一个板状分立元件的TiO₂含量至少为2重量％、优选至少3重量％。

3.一种电存储系统，优选根据权利要求4或5中任一项所述的电存储系统，其特征在于，所述至少一个板状分立元件具有以下以重量％为单位的组成：

4.根据权利要求1至3中任一项所述的厚度小于2mm的电存储系统，其包含至少一个板状分立元件，其特征在于，相对于在直径＞100mm或100mm×100mm的尺寸、优选直径＞200mm或200mm×200mm的尺寸、特别优选直径＞400mm或400mm×400mm的尺寸的范围中的晶片或衬底尺寸，所述元件具有不大于25μm、优选不大于15μm、特别优选不大于10μm以及非常特别优选不大于5μm的厚度偏差。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电存储系统，其特征在于，所述至少一个板状分立元件具有＜10^-3g/(m²·d)、优选＜10^-5g/(m²·d)、并且特别优选＜10^-6g/(m²·d)的水蒸气穿透率(WVTR)。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的电存储系统，其特征在于，所述至少一个板状分立元件具有小于2mm、优选小于1mm、特别优选小于500μm并且非常特别优选小于或者等于200μm、以及最优选地最大为100μm的厚度。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电存储系统，其特征在于，在350℃的温度和频率为50Hz的交流电的情况下，所述至少一个板状分立元件具有大于1.0×10⁶Ωcm的比电阻。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的电存储系统，其特征在于，所述至少一个板状分立元件具有至少400℃、优选至少500℃的最大负荷温度θ_Max。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的电存储系统，其特征在于，所述至少一个板状分立元件具有在2.0×10^-6/K至10×10^-6/K、优选2.5×10^-6/K至8.5×10^-6/K、并且特别优选3.0×10^-6/K至8.0×10^-6/K的范围中的线性热膨胀系数α。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的电存储系统，其特征在于，所述至少一个板状分立元件的最大负荷温度θ_Max与线性热膨胀系数α乘积符合以下关系：

600×10^-6≤θ_Max×α≤8000×10^-6，尤其优选800×10^-6≤θ_Max×α≤≤5000×10^-6。

11.一种电存储系统，优选根据权利要求1至10中任一项所述的电存储系统，其特征在于，所述至少一个板状分立元件的至少一个表面形成相对于将与该表面接触的材料是惰性的和/或具有减小的穿透性和/或不可穿透性。

12.根据权利要求11所述的电存储系统，其特征在于，所述至少一个表面形成为屏障。

13.根据权利要求12所述的电存储系统，其特征在于，所述屏障形成为针对金属扩散的屏障。

14.根据权利要求13所述的电存储系统，其特征在于，所述屏障层形成为针对过渡金属扩散的屏障。

15.根据权利要求14所述的电存储系统，其特征在于，所述屏障层通过掺杂或过掺杂至少一种碱金属和/或过渡金属而形成。

16.根据权利要求11至15中任一项所述的电存储系统，其特征在于，所述至少一个表面的屏障作用构造针对钛。