[发明专利]不变形的陶瓷基片及其制造方法在审
申请号: | 201580065212.0 | 申请日: | 2015-12-15 |
公开(公告)号: | CN107004504A | 公开(公告)日: | 2017-08-01 |
发明(设计)人: | 宫内安晴;帕沃尔·杜德赛克;埃德蒙·派尔;京特·普德米奇 | 申请(专利权)人: | 追踪有限公司 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/30;H01L23/15;H01L23/498;H01C7/105 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 章蕾 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变形 陶瓷 及其 制造 方法 | ||
1.用于电器件的基片,
-具有第一陶瓷功能层,
-具有连接层(VS),
-具有陶瓷夹层(SPS),
其中
-所述陶瓷功能层(FS)通过所述连接层(VS)与所述陶瓷夹层(SPS)连接形成所述基片(TP),
-在所述陶瓷功能层(FS)中集成着可与所述电器件相互连接的无源元件,
-所述功能层(FS)和所述夹层(SPS)不含玻璃或者只含重量比小于5%的玻璃,
-所述连接层(VS)包含玻璃组分或者是玻璃层。
2.根据权利要求1所述的基片,
其中所述连接层(VS)的厚度是0.5-10μm。
3.根据权利要求1或2所述的基片,
其中所述连接层(VS)除了玻璃组分外还包含未烧结的陶瓷填充物质。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的基片,
其中所述夹层(SPS)具有烧结温度,所述烧结温度在所述功能层(FS)和所述连接层(VS)的烧结温度之上。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的基片,
其中所述夹层(SPS)具有相对较低的热膨胀系数CTES,其低于所述功能层(FS)的热膨胀系数CTEF。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的基片,
具有第一连接层(VS2)和第二夹层(SPS2),其中所述第二夹层通过所述第二连接层与所述功能层(FS)背向所述第一夹层的表面相连,因此所述基片在层顺序、材料和层厚方面均具有对称的结构。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的基片,
其中所述至少一个连接层(VS)包含Si和/或Ge、B和K的氧化物作为主要组成部分,它们整体上占到所述连接层70%的重量比,其中高度烧结的填充物质填补了所述连接层中的其余份额。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的基片,
其中所述功能层(FS)包括由压敏材料构成的层,并且具有至少两个电极层(EL1、EL2)。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的基片,
其中所述功能层(FS)从NTC或PTC陶瓷层、片式多层陶瓷电容器、铁素体层、压电层和LTCC陶瓷中选出。
10.根据权利要求8或9中任一项所述的基片,
其中所述功能层(FS)具有至少两个电工陶瓷特性不同的不同分层(FS1、FS2)和至少三个金属化平面,它们在结构上构成用于实现不同无源元件的电极,其中不同的无源元件集成在所述功能层中。
11.根据权利要求1至10中任一项所述的基片,
其中所述夹层(SPS)是基于高度烧结的氧化物和化合物如ZrO2、MgO、SrCO3、BaCO3或MgSiO4的层。
12.一种用来制造根据权利要求1所述的基片的方法,其具有以下步骤:
a)设置陶瓷功能层的生坯膜,在其中事先形成所述无源电元件;
b)将相对薄的玻璃颗粒层布置在所述生坯膜上;
c)将陶瓷夹层的生坯膜布置在所述玻璃颗粒上;
d)在高于所述玻璃颗粒和所述陶瓷功能层的烧结温度的温度下对所述结构进行烧结;
e)所述结构受控冷却,其中会产生具有1-10μm厚玻璃层的坚固复合物,并且所述侧面烧结收缩控制在每根轴线小于3%的数值内。
13.根据权利要求12所述的方法,
其中所述陶瓷功能层的生坯包含至少一个生坯膜,其中将所述玻璃颗粒层以膏状形式布置在所述至少一个生坯膜上,其中将膏或生坯膜作为所述陶瓷夹层的生坯布置在所述玻璃颗粒层上。
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