[发明专利]一种量子点电子设备及量子点转印方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种量子点电子设备及量子点转印方法。

背景技术

可变形的高分辨率发光二极管(LED)对于以柔韧性(flexibility，弯曲性)和拉伸性(stretchability，伸缩性)为重要特性的可穿戴电子设备而言是用于显示信息的核心构件。最近，做出了很多用于实现可变形的发光二极管的努力，但是对于实现超薄膜可穿戴电子设备而言具有局限性。

此外，最近对于利用量子点的发光特性的发光装置的研究正活跃地进行。量子点作为具有数纳米大小的晶体结构的半导体物质，具有高色纯度和自发光特性，并具有通过调节大小来容易调节色彩的优点。但是，为了形成量子点的RGB图案而提出了像喷墨或者丝网印刷那样的技术，但是用这种技术难以实现高集成超薄膜可穿戴发光装置。

发明内容

发明要解决的问题

为了解决如上所述的问题，本发明提供性能优异的高集成量子点电子设备。

本发明提供一种超薄膜量子点电子设备。

本发明提供可提高转印率的量子点转印方法。

本发明提供可以实现性能优异的高集成量子点电子设备的量子点转印方法。

本发明提供可以实现超薄膜量子点电子设备的量子点转印方法。

本发明的其他目的将由以下的详细说明和所附的附图变得清楚。

解决问题的方法

本发明的一实施例的量子点电子设备包括：第一封装层；第一电极，配置在所述第一封装层上；量子点图案，配置在所述第一电极上；第二电极，配置在所述量子点图案上；第二封装层，配置在所述第二电极上。

所述量子点电子设备，其中，还包括：第一电荷传输层，配置在所述第一电极和所述量子点图案之间；第二电荷传输层，配置在所述第二电极和所述量子点图案之间。

所述第一封装层、所述第一电极、所述第一电荷传输层、所述量子点图案、所述第二电荷传输层、所述第二电极以及所述第二封装层的厚度之和在3μm以下，所述第一电极、所述第一电荷传输层、所述量子点图案、所述第二电荷传输层以及所述第二电极的厚度之和在300nm以下。

所述量子点图案通过凹版转印方法来形成，所述凹版转印方法包括：在供体基板形成量子点层的步骤，利用印模提取所述量子点层的步骤，利用所述印模，使所述量子点层与凹版基板接触的步骤，从所述凹版基板分离所述印模的步骤。所述凹版基板的表面能大于所述印模的表面能。所述量子点图案的大小在5μm×5μm以上的情况下，通过所述凹版转印方法转印的所述量子点图案的转印率在99％以上。所述量子点图案的大小在20μm×20μm以下。

所述量子点图案包括红色量子点图案、绿色量子点图案以及蓝色量子点图案，所述量子点电子设备为可穿戴量子点发光装置。所述量子点图案由包含CdSe/ZnS量子点以及CdSe/CdS/ZnS量子点中的一个以上的胶体纳米晶物质形成。

所述第一封装层包括第一保护层和第一接合层，所述第二封装层包括第二保护层和第二接合层，所述第一保护层和所述第二保护层由聚(对二甲苯)形成，所述第一接合层和所述第二接合层由环氧树脂形成。

本发明另一实施例的量子点电子设备包括：基板，量子点图案，配置在所述基板上；所述量子点图案通过凹版转印方法来形成，其中，所述凹版转印方法包括：在供体基板形成量子点层的步骤，利用印模提取所述量子点层的步骤，利用所述印模，使所述量子点层与凹版基板接触的步骤，从所述凹版基板分离所述印模的步骤。

所述凹版基板的表面能可以大于所述印模的表面能。

所述量子点图案的大小在5μm×5μm以上的情况下，通过所述凹版转印方法转印的所述量子点图案的转印率在99％以上。所述量子点图案的大小在20μm×20μm以下。

所述量子点图案包括红色量子点图案、绿色量子点图案以及蓝色量子点图案，所述量子点电子设备为量子点发光装置。所述量子点图案由包含CdSe/ZnS量子点以及CdSe/CdS/ZnS量子点中的一个以上的胶体纳米晶物质形成。

所述基板可以是可穿戴基板、柔性基板、伸缩性基板或者塑料基板。

根据本发明实施例的量子点转印方法包括：在供体基板形成量子点层的步骤；利用印模提取所述量子点层的步骤；利用所述印模，使所述量子点层与凹版基板接触的步骤；从所述凹版基板分离所述印模的步骤。

在形成所述量子点层之前，所述供体基板被实施了表面处理。

所述量子点层可以由包含量子点的胶体纳米晶物质形成。