[发明专利]具有高配体络合活性的镍和制造其的方法

权利要求书

1.一种提高镍与二磷酸酯配体的络合反应性的方法，所述方法包含以下步骤：

使镍起始物质与还原剂在足以生成含镍络合前体的条件下接触，其中所述镍起始物质包含可还原的硫源，并且所述含镍络合前体具有至少1500ppmw呈无定形硫化镍形式的硫，所述接触包含维持200℃至350℃的温度，以及

在所述含镍络合前体的镍原子和所述二磷酸酯配体之间形成络合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触包含维持225℃至325℃的温度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触包含维持250℃至300℃的温度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述接触包含维持250℃至290℃的温度。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述含镍络合前体具有1500ppmw至500000ppmw呈无定形硫化镍形式的硫。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述还原剂包含氢气、氨和含碳化合物中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述还原剂包含氢气、氨和碳中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述还原剂包含氢气、氨、甲酸酯和甲酸盐中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述还原剂包含氢气。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述镍起始物质包含碱式碳酸镍、氧化镍、碳酸镍、碳酸氢镍、草酸镍、甲酸镍、方酸镍、氢氧化镍、硝酸镍、氰酸镍、硫酸镍、无定形NiSx和结晶Ni₃S₂中的至少一种。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述镍起始物质包含甲酸镍。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述可还原的硫源选自NiSO₄、Na₂SO₃、NaS₂O₃、元素硫及其组合。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述含镍络合前体包含镍微晶，并且符合以下测量值中的至少一种：

所述含镍络合前体的BET比表面积/C50比率不小于0.07×10⁹m/gm；

硫化镍具有低于5nm的微晶尺寸和小于0.2重量％的微晶相；

所述镍微晶的平均微晶尺寸不大于30nm；

所述镍微晶尺寸分布跨度大于1.0；

所述含镍络合前体平均每克镍具有至少10¹⁵个表面微晶；

所述含镍络合前体的BET比表面积为至少1m²/gm；

至少10％的粒子的尺寸D10不大于6μm；

所述含镍络合前体的激光衍射比表面积为至少0.4m²/gm；

所述含镍络合前体的BET比表面积比D10比率为0.3×10⁶m/gm至10.0×10⁶m/gm；

平均每克镍存在至少10³¹个小于或等于尺寸C10的表面微晶；

当1-5重量％的所述含镍络合前体与含有5-10重量％配体V和0.3-1.5％ZnCl₂的3-戊烯腈溶液在40-80℃的反应温度下混合时，通常呈Ni-配体V络合物形式的可溶性Ni的平衡浓度达到1000-6000ppm；其中配体V具有下式：

14.根据权利要求1所述的方法，其中在使所述镍起始物质与所述还原剂接触的步骤中，使所述镍起始物质另外与不同于所述镍起始物质的硫源接触。