[发明专利]核壳粒子、核壳粒子的制造方法及薄膜

权利要求书

1.一种核壳粒子，其具有含有III族元素及V族元素的核、与覆盖所述核表面的至少一部分的含有II族元素及VI族元素的壳，所述核壳粒子中，

通过X射线光电子能谱分析所测定的所述II族元素的峰值强度比相对于所述III族元素的峰值强度比的比例为0.25以上0.41以下，

通过X射线光电子能谱分析所测定的所述VI族元素的峰值强度比相对于所述III族元素的峰值强度比的比例为0.80以上，

所述III族元素为In、Al、Ga中的任一种元素；所述V族元素为P、N、As中的任一种元素；所述II族元素为Zn、Cd、Mg中的任一种元素；所述VI族元素为S、O、Se、Te中的任一种元素。

2.根据权利要求1所述的核壳粒子，其中，

所述III族元素为In，所述V族元素为P、N及As中的任一种元素。

3.根据权利要求2所述的核壳粒子，其中，

所述III族元素为In，所述V族元素为P。

4.根据权利要求1或2所述的核壳粒子，其中，

所述II族元素为Zn，所述VI族元素为S或Se。

5.根据权利要求4所述的核壳粒子，其中，

所述II族元素为Zn，所述VI族元素为S。

6.根据权利要求1或2所述的核壳粒子，其中，

通过X射线光电子能谱分析所测定的所述II族元素的峰值强度比相对于所述III族元素的峰值强度比的比例为0.35以上。

7.一种核壳粒子的制造方法，其合成权利要求1～6中任一项所述的核壳粒子，所述核壳粒子的制造方法包括：

第1工序，制备将包含III族元素的III族原料与包含II族元素的II族原料混合并溶解而成的混合溶液；

第2工序，在所述混合溶液中添加包含V族元素的V族原料，从而形成含有所述III族元素及所述V族元素的核；及

第3工序，在形成所述核后的混合溶液中添加包含VI族元素的VI族原料，从而在所述核表面的至少一部分上形成含有所述II族元素及所述VI族元素的壳，

所述第3工序在230℃以上的温度下进行。

8.根据权利要求7所述的核壳粒子的制造方法，其中，

所述第2工序在小于230℃的温度下进行。

9.根据权利要求8所述的核壳粒子的制造方法，其中，

所述第2工序在120℃以上且200℃以下的温度下进行。

10.根据权利要求7～9中任一项所述的核壳粒子的制造方法，其中，

所述第3工序在240℃以上的温度下进行。

11.根据权利要求7～9中任一项所述的核壳粒子的制造方法，其中，

所述III族元素为In，所述V族元素为P、N及As中的任一种元素。

12.根据权利要求11所述的核壳粒子的制造方法，其中，

所述III族元素为In，所述V族元素为P。

13.根据权利要求7～9中任一项所述的核壳粒子的制造方法，其中，

所述II族元素为Zn，所述VI族元素为S或Se。

14.根据权利要求13所述的核壳粒子的制造方法，其中，

所述II族元素为Zn，所述VI族元素为S。

15.根据权利要求7～9中任一项所述的核壳粒子的制造方法，其中，

所述III族原料为In的氯化物。

16.根据权利要求7～9中任一项所述的核壳粒子的制造方法，其中，

所述II族原料为Zn的氯化物。