[发明专利]单片集成的可调谐半导体激光器

权利要求书

1.一种单片集成的可调谐半导体激光器，其具有光波导，所述激光器包括在衬底上具有外延层的激光器芯片，所述外延层包括在所述衬底上的下层、过生长层以及在所述下层和所述过生长层之间的光导层，且所述激光器具有集成在所述激光器芯片上的

第一反射器和第二反射器，所述第一反射器和所述第二反射器界定光学增益区段，和

无源区段，

其中，所述第一反射器和第二反射器中的至少一个是分布式布拉格反射器区段，所述分布式布拉格反射器区段包括光栅并且被配置为具有可调谐反射光谱，

其中，所述激光器设置有配置为在使用中电接地的公共接地电极，

其中，控制电极设置在至少所述光学增益区段和所述分布式布拉格反射器区段中的所述光波导上，

其中，所述无源区段设置有无源区段电极，所述无源区段电极电接触所述光波导的与所述衬底相对的侧，所述无源区段配置为不可通过电控制信号驱动，并且所述无源区段内不存在光栅，且

其中，所述无源区段是接地的无源区段，其中所述无源区段电极配置为在使用中被电接地并与所述无源区段电接触，且其中，所述无源区段电极和所述公共接地电极电接触所述光波导的相对侧。

2.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述公共接地电极设置在所述衬底上，所述公共接地电极被结合到设置在安装元件上的安装元件电极，且所述无源区段电极电连接到所述安装元件电极。

3.根据权利要求1所述的激光器，其中，所述接地的无源区段包括p-i-n掺杂的外延结构。

4.根据权利要求2所述的激光器，其中，所述接地的无源区段包括p-i-n掺杂的外延结构。

5.根据权利要求1所述的激光器，

其中，所述光波导具有由所述第一反射器和所述第二反射器界定的光学相位控制区段，且

所述光学相位控制区段和所述无源区段包括公共过生长层和/或下层。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的激光器，其中，所述激光器包括多个无源区段。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的激光器，其中，反射器是配置成用于来自所述激光器的光输出的输出反射器，且所述无源区段位于所述光学增益区段和所述输出反射器之间。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的激光器，其中，所述光波导具有由所述第一反射器和所述第二反射器界定的光学相位控制区段，且所述无源区段位于所述光学增益区段和所述光学相位控制区段之间。

9.根据权利要求5所述的激光器，其中，所述无源区段位于所述光学增益区段和所述光学相位控制区段之间。

10.根据权利要求1-5、9中任一项所述的激光器，其中，所述无源区段具有至少100μm的长度。

11.根据权利要求1-5、9中任一项所述的激光器，其中，所述无源区段具有至少150μm的长度。

12.根据权利要求1-5、9中任一项所述的激光器，其中，所述无源区段具有至少200μm的长度。

13.根据权利要求1-5、9中任一项所述的激光器，其中，所述无源区段具有至少400μm的长度。