[发明专利]改进BCD技术中的横向BJT特性

权利要求书

1.一种双极结型晶体管BJT，其包括：

发射极；

基极，其包括基极接触件区域和位于所述基极接触件区域下方的掩埋基极层；以及

集电极，其包含朝向所述基极接触件区域而延伸的分级集电极接触件区域，所述分级集电极接触件区域具有朝向所述基极接触件区域而下降的横向掺杂浓度，并且所述集电极横向地围绕所述发射极和所述基极，其中所述分级集电极接触件区域包括深阱和位于所述深阱内的浅阱、并且所述深阱比所述浅阱掺杂得更轻，所述分级集电极接触件区域包括垂直地延伸以接触所述浅阱和所述深阱的深沟槽；

其中所述掩埋基极层在所述分级集电极接触件区域的下方延伸。

2.根据权利要求1所述的BJT，其中所述基极包括位于所述掩埋基极层上方的外延层。

3.根据权利要求2所述的BJT，其中所述基极接触件区域包含位于所述外延层上方的浅阱。

4.根据权利要求1所述的BJT，其中所述分级集电极接触件区域的所述深阱包括n型深阱、并且所述分级集电极接触件区域的所述浅阱为位于所述n型深阱内且位于所述n型深阱上方的n型浅阱。

5.根据权利要求1所述的BJT，其中所述分级集电极接触件区域的所述深阱包括p型深阱、并且所述分级集电极接触件区域的所述浅阱为位于所述p型深阱内且位于所述p型深阱上方的p型浅阱。

6.一种双极结型晶体管BJT，其包括：

发射极；

基极，其包括第一掩埋层、位于所述第一掩埋层上方的外延层和在所述外延层中形成的基极接触件区域；以及

集电极，其横向地围绕所述发射极和所述基极，所述集电极包含：

在所述第一掩埋层下方延伸的第二掩埋层；以及

分级集电极接触件区域，其耦合至所述第二掩埋层并且邻接所述外延层、并且部分地穿透所述第一掩埋层，其中所述分级集电极接触件区域包括n型深阱和位于所述n型深阱内且位于所述n型深阱上方的n型浅阱。

7.根据权利要求6所述的BJT，其中所述分级集电极接触件区域包括在所述基极的所述外延层的下方延伸的所述n型深阱。

8.根据权利要求6所述的BJT，其中所述第一掩埋层包括p型掩埋层，并且所述第二掩埋层包括n型掩埋层。

9.根据权利要求6所述的BJT，其中所述基极接触件区域包括位于所述外延层上方的浅阱。

10.根据权利要求6所述的BJT，其中所述分级集电极接触件区域包括：

深沟槽，其垂直地延伸以将所述n型浅阱和所述n型深阱耦合至所述第二掩埋层。

11.根据权利要求6所述的BJT，其中所述分级集电极接触件区域包括：

具有第一掺杂级的所述n型浅阱；以及

具有比所述第一掺杂级更低的第二掺杂级的所述n型深阱。

12.根据权利要求11所述的BJT，其中所述第一掺杂级高于1e16/cm³，并且所述第二掺杂级在1e16/cm³至1e15/cm³的范围内。