[发明专利]使用定向成在喷洒主体下方且向入口端口引导流体的流体出口的抛光垫清洗系统及相关方法有效
申请号: | 201580057701.1 | 申请日: | 2015-08-13 |
公开(公告)号: | CN107078045B | 公开(公告)日: | 2020-11-20 |
发明(设计)人: | P·D·巴特菲尔德;张寿松;B·J·金 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 定向 喷洒 主体 下方 入口 端口 引导 流体 出口 抛光 清洗 系统 相关 方法 | ||
1.一种用于安置在化学机械抛光系统中的抛光垫的喷洒系统,所述喷洒系统包括:
喷洒主体,具有底侧及顶侧,所述喷洒主体包括入口端口、内气室及出口端口,所述入口端口向所述底侧开口;及
第一组流体出口,具有一定向,所述定向引导离开所述第一组流体出口的流体在所述喷洒主体的所述底侧下方且朝向所述入口端口;以及
隔板,安置在所述入口端口中且将所述入口端口分隔为第一入口端口和第二入口端口,其中通路从所述入口端口延伸到所述内气室中,所述隔板防止穿过所述通路的流体在所述隔板的相对侧混合。
2.如权利要求1所述的喷洒系统,进一步包括:
第二组流体出口,具有一定向,所述定向引导离开所述第二组流体出口的流体在所述喷洒主体的所述底侧下方且朝向所述入口端口,其中所述入口端口分隔所述第一组流体出口和所述第二组流体出口。
3.如权利要求1所述的喷洒系统,其中所述通路从所述入口端口延伸到所述内气室中达一高度,所述高度允许流体离开所述通路以集中在所述内气室中。
4.如权利要求1所述的喷洒系统,其中从所述入口端口延伸到所述内气室中的所述通路是发散通路。
5.如权利要求1所述的喷洒系统,其中所述喷洒主体还包括:
一个或更多个流体凹沟,形成于所述主体的所述底侧中,所述流体凹沟由所述入口端口与所述第一组流体出口分隔。
6.如权利要求1所述的喷洒系统,还包括:
挡板,耦接至所述主体的第一端,所述挡板延伸离开所述底侧。
7.如权利要求1所述的喷洒系统,还包括:
至少一个间隔物,耦接至所述主体的相对端,所述主体的所述相对端通过产生与所述抛光垫的接合而相对于所述抛光垫定位所述主体,所述间隔物延伸离开所述底侧,所述间隔物界定承载面,所述承载面经配置以在抛光垫上支撑所述喷洒主体。
8.一种安置在化学机械抛光系统中的喷洒系统,所述化学机械抛光系统具有用于支撑抛光垫和抛光头的平台以用于在抛光的同时固持基板,所述喷洒系统包括:
喷洒主体,具有底侧及顶侧,所述底侧面对所述平台,所述喷洒主体包括入口端口、内气室及出口端口,所述入口端口向所述底侧开口;
第一组流体出口,具有一定向,所述定向引导离开所述第一组流体出口的流体在所述喷洒主体的所述底侧下方且朝向所述入口端口;以及
第二组流体出口,具有一定向,所述定向在所述喷洒主体的所述底侧下方且朝向所述入口端口引导离开所述第二组流体出口的流体,
其中所述入口端口分隔所述第一组流体出口和所述第二组流体出口。
9.如权利要求8所述的喷洒系统,其中所述喷洒主体的所述顶侧进一步包括凸状外部顶表面。
10.如权利要求8所述的喷洒系统,其中所述喷洒主体进一步包括:
发散通路,从所述入口端口延伸到所述内气室中。
11.如权利要求8所述的喷洒系统,进一步包括:
隔板,安置在所述入口端口中,且将所述入口端口分隔为第一入口端口和第二入口端口。
12.如权利要求8所述的喷洒系统,进一步包括:
隔板,安置在所述入口端口中,且将所述入口端口分隔为第一入口端口和第二入口端口,其中所述隔板在所述主体的底侧下方延伸。
13.如权利要求12所述的喷洒系统,进一步包括:
通路,从所述入口端口延伸到所述内气室中,所述隔板防止穿过所述通路的流体在所述隔板的相对侧混合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造