[发明专利]用于光电应用的基于二氟联噻吩的D-A聚合物

权利要求书

1.一种给电子-受电子共轭聚合物，其包含一个或多个具有如下结构式的重复单元：

其中Ar为选自由如下基团构成的组中的芳香族基团：

其中每个R独立地选自由具有2-40个C原子的直链、支链和环状烷基构成的组，其中一个或多个不相邻的C原子任选被-O-、-S-、-C(O)-、-C(O-)-O-、-O-C(O)-、-O-C(O)-O-，-CR⁰＝CR⁰⁰-或-C≡C-替代，并且其中一个或多个H原子可以被F、Cl、Br、I或CN替代，或表示为具有4至30个未取代或被一个或多个非芳香族基团取代的环原子的芳基、杂芳基、芳氧基、杂芳氧基、芳基羰基、杂芳基羰基、芳基羰氧基、杂芳基羰氧基、芳氧基羰基或杂芳氧基羰基，其中R⁰和R⁰⁰独立地为直链、支链或环状烷基。

2.如权利要求1所述的给电子-受电子共轭聚合物，其中所述给电子-受电子共轭聚合物的平均分子量在20,000克/摩尔到40,000克/摩尔之间。

3.如权利要求1所述的给电子-受电子共轭聚合物，其中当所述给电子-受电子共轭聚合物的溶液从140℃冷却至室温时，所述给电子-受电子共轭聚合物的溶液的光学吸收光谱的峰表现出至少100纳米的红移。

4.如权利要求1所述的给电子-受电子共轭聚合物，其中当所述给电子-受电子共轭聚合物的溶液从140℃冷却到室温时，所述给电子-受电子共轭聚合物的溶液的光学吸收光谱的峰在约740纳米处表现出红移。

5.如权利要求1所述的给电子-受电子共轭聚合物，其特征还在于：所述给电子-受电子共轭聚合物的光学带隙在1.65eV以下。

6.如权利要求1所述的给电子-受电子共轭聚合物，其中所述给电子-受电子共轭聚合物选自由如下聚合物构成的组：

7.如权利要求6所述的给电子-受电子共轭聚合物，其中PBT4ffT-OD、PffT2-FTAZ、PID-ffT4和N2200-2F作为受体的光电转换效率在6.7％和10.4％之间。

8.如权利要求6所述的给电子-受电子共轭聚合物，其中N2200-2F的电子空穴迁移率为0.3cm²/Vs。

9.一种制剂，其包含有机溶剂、富勒烯和根据权利要求1-8中任意一项所述的给电子-受电子共轭聚合物