[发明专利]具有改善的温度补偿的微声构件

权利要求书

1.一种通过声波工作的构件，

具有压电材料层，

具有至少一对电极，用于在所述压电材料中激发声波，

具有补偿层，其如此被布置于所述构件中，使得声波能量中的至少一部分处于所述补偿层中，

其中，所述补偿层包含基于至少两个元素且具有负热膨胀系数的稀土化合物的介电材料。

2.根据权利要求1所述的构件，

其中，所述补偿层直接被涂覆于所述压电材料层上，其中，所述电极被布置于所述压电材料层上、所述补偿层上或者这两层之间。

3.根据权利要求1所述的构件，

其中，所述稀土化合物包含三氟化钪ScF₃。

4.根据权利要求3所述的构件，

其中，所述稀土化合物包括分子式Sc_(1-X)Y_XF₃的掺钇ScF₃，其中，由系数x表达的钇成分通过关系式0x≤0.25来定义。

5.根据权利要求4所述的构件，

其中，所述稀土化合物包括分子式Sc_(1-X)Y_XF₃的掺钇ScF₃，其中，x＝0.2。

6.根据权利要求3所述的构件，

其中，包含ScF₃的所述补偿层是玻璃。

7.根据权利要求1所述的构件，

其中，所述补偿层包含网络形成体。

8.根据权利要求1所述的构件，

其中，所述补偿层具有高于700ppm/K的正热弹性温度系数。

9.根据权利要求1所述的构件，

构造为SAW构件，

具有位于所述压电材料层之上或上方的至少一个叉指换能器，

具有沉淀于所述压电材料层及所述叉指换能器上的所述补偿层，其包含掺杂成具有其他氧化物或卤化物的混合晶体或者嵌入结晶基体或玻璃中的纯净形式的ScF3，

其中，采用相对于所述构件中间频率下的波长占5-20％的层厚，完全补偿中间频率的温度系数。

10.根据权利要求1所述的构件，

其还被构造成BAW构件，

具有两个电极层，

包含沉淀于所述压电材料层和一电极层之间或者沉淀于与所述压电材料层相对的一电极层之上的所述补偿层，

其中所述补偿层包含掺杂成具有其他氧化物或卤化物的混合晶体或者嵌入结晶基体或玻璃中的纯净形式的ScF3，

其中，采用相对于所述构件中间频率下的波长占5-20％的层厚，以完全补偿中间频率的温度系数。

11.根据权利要求2所述的构件，

其中所述稀土化合物包含三氟化钪ScF₃，所述稀土化合物包括分子式Sc_(1-X)Y_XF₃的掺钇ScF₃，其中由系数x表达的钇成分通过关系式0x≤0.25来定义，或其中所述稀土化合物包括分子式Sc_(1-X)Y_XF₃的掺钇ScF₃，其中，x＝0.2。

12.根据权利要求11所述的构件，

其中，所述补偿层包含网络形成体。

13.根据权利要求2所述的构件，

其中，所述补偿层具有高于700ppm/K的正热弹性温度系数。

14.根据权利要求11所述的构件，

其中，所述补偿层具有高于700ppm/K的正热弹性温度系数。