[发明专利]显示装置、制造显示装置的方法以及电子设备有效

专利信息
申请号: 201580038843.3 申请日: 2015-04-20
公开(公告)号: CN106663394B 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 津野仁志 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G09F9/30 分类号: G09F9/30;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/786;H01L51/50;H05B33/26
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 田喜庆;刘彬
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 制造 方法 以及 电子设备
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括:

在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管以及具有顶栅结构的薄膜晶体管,

其中,所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极与布线层设置在同一层中,

其中,第一布线层设置在所述薄膜晶体管上的层间绝缘薄膜上,并且第一层间薄膜设置在所述第一布线层上,

设置有所述顶栅结构的布线层是设置在所述第一层间薄膜上的第二布线层,

其中,在层间绝缘薄膜的与所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的沟道区域对应的地点形成接触孔,并且

栅极绝缘薄膜设置在包含所述接触孔的层间绝缘薄膜上。

2.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,通过从电气连接至所述具有底栅结构的薄膜晶体管的源极或漏极区域的布线中延伸,使具有所述顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极一体化。

3.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述具有顶栅结构的薄膜晶体管包括在浮态中的伪栅极电极。

4.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述栅极绝缘薄膜由高介电常数层间薄膜构成。

5.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,在第一层间薄膜的与具有顶栅结构的薄膜晶体管对应的地点内形成接触孔,并且

所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极在所述第一层间薄膜上、在所述接触孔内、并且在所述栅极绝缘薄膜上设置在与第二布线层相同的层内。

6.根据权利要求5所述的显示装置,

其中,所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极被布置为通过由高介电常数层间薄膜构成的栅极绝缘薄膜朝着所述薄膜晶体管的沟道区域。

7.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述具有底栅结构的薄膜晶体管和所述具有顶栅结构的薄膜晶体管串联连接,以供使用。

8.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述具有底栅结构的薄膜晶体管和所述具有顶栅结构的薄膜晶体管并联连接,以供使用。

9.根据权利要求7所述的显示装置,

其中,所述具有底栅结构的薄膜晶体管的源极或漏极区域直接连接至所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的源极或漏极区域,而不穿过布线层。

10.根据权利要求7所述的显示装置,

其中,所述具有底栅结构的薄膜晶体管的底部栅极电极和所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极具有相同的电位。

11.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述显示装置通过布置包括发光单元的单位像素而构成,并且

所述单位像素包括写入信号的写入晶体管以及基于所述写入晶体管写入的信号驱动所述发光单元的驱动晶体管,

其中,所述写入晶体管由所述具有底栅结构的薄膜晶体管构成,并且

所述驱动晶体管由所述具有顶栅结构的薄膜晶体管构成。

12.一种制造显示装置的方法,所述显示装置包括在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管以及具有顶栅结构的薄膜晶体管,所述方法包括:

在与布线层相同的层内形成所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极,

在所述薄膜晶体管上的层间绝缘薄膜上设置第一布线层,并且在所述第一布线层上设置第一层间薄膜,

在所述第一层间薄膜上设置第二布线层,其中,所述第二布线层作为设置有所述顶栅结构的布线层,

在层间绝缘薄膜的与所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的沟道区域对应的地点形成接触孔,并且

在包含所述接触孔的层间绝缘薄膜上设置栅极绝缘薄膜。

13.一种电子设备,包括:

显示装置,包括在同一基板上的具有底栅结构的薄膜晶体管以及具有顶栅结构的薄膜晶体管,并且其中,所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的顶部栅极电极与布线层设置在同一层中,

其中,第一布线层设置在所述薄膜晶体管上的层间绝缘薄膜上,并且第一层间薄膜设置在所述第一布线层上,

设置有所述顶栅结构的布线层是设置在所述第一层间薄膜上的第二布线层,

其中,在层间绝缘薄膜的与所述具有顶栅结构的薄膜晶体管的沟道区域对应的地点形成接触孔,并且

栅极绝缘薄膜设置在包含所述接触孔的层间绝缘薄膜上。

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