[实用新型]一种太阳能电池组件有效
申请号: | 201521127630.1 | 申请日: | 2015-12-29 |
公开(公告)号: | CN205264735U | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 卜海建;沈伟峰;王国华 | 申请(专利权)人: | 阿特斯(中国)投资有限公司;常熟阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 许志勇 |
地址: | 215129 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能光伏发电技术领域,更具体地说,涉及一种太阳 能电池组件。
背景技术
太阳能光伏发电技术是能源的高新技术,具有独特的优势和巨大的开发 利用潜力。太阳能电池组件是用于太阳能光伏发电技术中的一种常用设备。
太阳能电池组件,通常采用晶体硅电池串。晶体硅电池串包括背面带有 栅线的晶体硅电池片,且所述晶体硅电池片通过互联条焊接而成。
太阳能电池组件中的电池片使用背铝钝化技术,可以提高电池组件的光 电转换效率。传统的电池由于要考虑到做成组件时电池的焊接问题,所以在 背面并不是全铝背场,而是设计了和正面根数相同的主栅线,以帮助传导电 流。这样就必须牺牲一部分面积的钝化效果。另外必须使用含银或者全银的 栅线,以实现镀锡铜带与电池的焊接。同时,银栅的成本比较高。太阳能发 电技术中,部分涉及到太阳能电池组件中电池片的背面为全铝背场结构时, 传统的镀锡互联条不能直接与所述太阳能电池的背面直接焊接,而是在全铝 背场的基础上再在原主栅位置设置一层电极。通过所述电极与镀锡互联条的 焊接实现电池片与镀锡互联条的焊接及电流的传导。这样,使得太阳能电池 组的组装比较麻烦。
因此,未解决上述问题,有必要提供一种更好的太阳能电池组件。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供一种太阳能电池组件,其解决太 阳能电池组件中使用的太阳能电池片,其背面为全铝背场结构时,所述太阳 能电池片的背面与互联条之间的焊接工作比较复杂的问题,使得背面为全铝 背场结构的太阳能电池片与互联条之间的连接工作更方便。
本实用新型采用的技术方案中提供了一种太阳能电池组件,包括若干太 阳能电池片及连接所述若干太阳能电池片的若干互联条,所述太阳能电池片 的背面仅设有与所述互联条直接连接的铝背场,所述互联条包括铜带及设置 于铜带表面且熔点低于190℃的钎焊合金层。
优选的,所述钎焊合金层涂覆于所述铜带的上下表面,且所述钎焊合金 层的厚度为0.02mm~0.04mm。
优选的,所述若干太阳能电池片通过若干互联条实现串联。
优选的,所述互联条一端直接焊接于一个太阳能电池片的背面,其另一 端直接焊接于与相邻的太阳能电池片的正面。
优选的,所述太阳能电池组件还包括钢化白玻璃、背垫、引线、端子、 接线盒、铝框、填充材料、密封材料。
优选的,所述通过互联条串联的太阳能电池片,组成一组电池串,所述 电池串其两端通过引线连接于所述接线盒内的端子上。
优选的,所述端子及接线盒,设置于所述背垫外侧。
优选的,所述填充材料填充于所述太阳能电池片与所述钢化白玻璃、所 述背垫及所述铝框之间。
优选的,所述铝框套设于所述钢化白玻璃及背垫外,所述密封材料位于 所述背垫及所述铝框之间。
优选的,所述熔点低于190℃的钎焊合金层为熔点为182℃的钎焊焊料 M51。
与现有技术相比,本实用新型双面玻璃光伏组件通过利用包括钎焊合金 层的互联条,直接焊接于所述太阳能电池片的背面,可以解决太阳能电池组 件中使用的太阳能电池片的背面为全铝背场结构时,所述太阳能电池片的背 面与互联条之间不能直接焊接的问题,使得所述太阳能电池片与互联条之间 的连接更加快速、方便。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将 对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地, 下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例,对于本领域普通技术人员来 讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本实用新型一种实施例中所述太阳能电池组件的结构示意图。
图2为本实用新型一种实施例中所述太阳能电池组件中互联条的剖面示 意图。
图3为本实用新型一种实施例中所述太阳能电池组件中太阳能电池片的 背面焊接结构示意图。
图4为本实用新型一种实施例中所述太阳能电池组件中太阳能电池片的 背面放大的结构示意图。
图5为本实用新型一种实施例中所述太阳能电池组件的侧向放大的焊接 示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的