[实用新型]一种电源隔离的缓存型Raid卡有效

专利信息
申请号: 201521118477.6 申请日: 2015-12-30
公开(公告)号: CN205334365U 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 周亮;薛广营 申请(专利权)人: 山东海量信息技术研究院
主分类号: G06F1/26 分类号: G06F1/26
代理公司: 济南信达专利事务所有限公司 37100 代理人: 张靖
地址: 250101 山东省济南*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源 隔离 缓存 raid
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及Raid设计技术领域,具体涉及一种电源隔离的缓存型Raid卡。

背景技术

缓存型Raid卡可以在系统突然掉电的时候对数据进行保护,防止数据丢失,该机制需要用电池对Raid卡和Flash模块进行供电,而Raid卡正常使用时,外部电源对Raid卡和Flash模块进行供电,同时对电池进行充电,因此该设计中某个电压时常面临着两个或多个Source的电源供电,这些电源如果不进行隔离,必定会产生漏电,进而影响系统稳定性,使用寿命,更严重的会烧毁芯片,造成不可挽回的损失,因此,有效的电源隔离就显得至关重要。传统的隔离方法设计都较为复杂,元器件较多,且不易调试。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是:本实用新型提出了一种电源隔离的缓存型Raid卡。

本实用新型所采用的技术方案为:

一种电源隔离的缓存型Raid卡,所述缓存型Raid卡包括Raid卡部分和Flash缓存模块,Raid卡部分包括MOS1、电源芯片VR1、MOS2,Flash缓存模块包括电池、电源芯片VR2、MOS3,其中Raid卡部分还设置有CPLD芯片,各功率MOS管做开关对电源进行隔离,CPLD芯片负责监控系统上电状态并控制各功率MOS管的导通和关断。

所述Raid卡部分由PcieSlot提供12V供电,在板上产生12_MR,并通过电源芯片VR1产生3V3供电。

所述Flash模块通过电池产生12_MR供电,并通过电源芯片VR2产生3V3_MR供电,并且在PcieSlot提供的12V供电断电时,该供电会提供给Raid卡使用,其中PcieSlot提供的12V供电和电池产生12_MR供电之间通过MOS1隔离。

电源芯片VR1产生的3V3供电和电源芯片VR2产生的3V3_MR供电之间通过MOS2和MOS3互相隔离。

所述Raid卡部分还设置有电压检测电路,CPLD芯片通过电压检测电路对PcieSlot提供的12V供电进行检测。

所述CPLD芯片还分别与MOS1、VR1、VR2、MOS2、MOS3连接并检测和控制其工作:

当CPLD芯片监测外部电源12V存在时,MOS1导通,12V通过充电电路对电池进行充电,CPLD芯片控制Raid卡上面的电源芯片VR1产生3V3,同时MOS2导通,对Flash模块进行供电,CPLD芯片控制Flash模块上面的电源芯片VR2不产生3V3_MR,同时控制Flash模块上的MOS3关断,保护VR2;

当CPLD芯片监测到外部电源12V掉电,由电池供电,此时为防止12V_MR漏电到主板,控制MOS1关断,控制Raid卡上面的电源芯片(VR1)不产生3V3,同时控制MOS2关断,保护VR1,并控制Flash模块上面的VR产生3V3_MR,控制MOS3导通。

本实用新型的有益效果为:

本实用新型结构简洁,容易使用,由CPLD控制可以很方便的调试,可有效降低设计难度。

附图说明

图1为本实用新型缓存型Raid卡电源隔离框图。

具体实施方式

下面根据说明书附图,结合具体实施方式对本实用新型进一步说明:

实施例1:

如图1所示,一种电源隔离的缓存型Raid卡,所述缓存型Raid卡包括Raid卡部分和Flash缓存模块,Raid卡部分包括功率MOS管MOS1、电源芯片(VR1)、功率MOS管MOS2,Flash缓存模块包括电池、电源芯片(VR2)、功率MOS管MOS3,其中Raid卡部分还设置有CPLD芯片,各功率MOS管做开关对电源进行隔离,CPLD芯片负责监控系统上电状态并控制各功率MOS管的导通和关断。

实施例2:

在实施例1的基础上,本实施例所述Raid卡部分由PcieSlot提供12V供电,在板上产生12_MR,并通过电源芯片(VR1)产生3V3供电。

实施例3:

在实施例2的基础上,本实施例所述Flash模块为单独设计,通过电池产生12_MR供电,并通过电源芯片(VR2)产生3V3_MR供电,并且在外部电源(PcieSlot提供的12V供电)断电时,该电会提供给Raid卡使用,PcieSlot提供的12V供电和电池产生12_MR供电之间通过功率MOS管MOS1隔离。

实施例4:

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