[实用新型]一种电源隔离的缓存型Raid卡有效

专利信息
申请号: 201521118477.6 申请日: 2015-12-30
公开(公告)号: CN205334365U 公开(公告)日: 2016-06-22
发明(设计)人: 周亮;薛广营 申请(专利权)人: 山东海量信息技术研究院
主分类号: G06F1/26 分类号: G06F1/26
代理公司: 济南信达专利事务所有限公司 37100 代理人: 张靖
地址: 250101 山东省济南*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 电源 隔离 缓存 raid
【权利要求书】:

1.一种电源隔离的缓存型Raid卡,其特征在于:所述缓存型Raid卡包括Raid卡部分和Flash缓存模块,Raid卡部分包括功率MOS管MOS1、电源芯片VR1、功率MOS管MOS2,Flash缓存模块包括电池、电源芯片VR2、功率MOS管MOS3,其中Raid卡部分还设置有CPLD芯片,各功率MOS管做开关对电源进行隔离,CPLD芯片负责监控系统上电状态并控制各功率MOS管的导通和关断。

2.根据权利要求1所述的一种电源隔离的缓存型Raid卡,其特征在于:所述Raid卡部分由PcieSlot提供12V供电,在板上产生电压12_MR,并通过电源芯片VR1产生电压3V3供电。

3.根据权利要求2所述的一种电源隔离的缓存型Raid卡,其特征在于:所述Flash模块通过电池产生电压12_MR供电,并通过电源芯片VR2产生电压3V3_MR供电,并且在PcieSlot提供的12V供电断电时,该供电会提供给Raid卡使用,其中PcieSlot提供的12V供电和电池产生电压12_MR供电之间通过功率MOS管MOS1隔离。

4.根据权利要求3所述的一种电源隔离的缓存型Raid卡,其特征在于:电源芯片VR1产生的电压3V3供电和电源芯片VR2产生的电压3V3_MR供电之间通过功率MOS管MOS2和功率MOS管MOS3互相隔离。

5.根据权利要求4所述的一种电源隔离的缓存型Raid卡,其特征在于:所述Raid卡部分还设置有电压检测电路,CPLD芯片通过电压检测电路对PcieSlot提供的12V供电进行检测。

6.根据权利要求5所述的一种电源隔离的缓存型Raid卡,其特征在于:所述CPLD芯片还分别与功率MOS管MOS1、电源芯片VR1、电源芯片VR2、功率MOS管MOS2、功率MOS管MOS3连接并检测和控制其工作:

当CPLD芯片监测外部电源12V存在时,功率MOS管MOS1导通,12V电压通过充电电路对电池进行充电,CPLD芯片控制Raid卡上面的电源芯片VR1产生电压3V3,同时功率MOS管MOS2导通,对Flash模块进行供电,CPLD芯片控制Flash模块上面的电源芯片VR2不产生电压3V3_MR,同时控制Flash模块上的功率MOS管MOS3关断,保护电源芯片VR2;

当CPLD芯片监测到外部电源12V掉电,由电池供电,控制功率MOS管MOS1关断,控制Raid卡上面的电源芯片VR1不产生电压3V3,同时控制功率MOS管MOS2关断,保护电源芯片VR1,并控制Flash模块上面的电源芯片VR2产生电压3V3_MR,控制功率MOS管MOS3导通。

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