[实用新型]有源吸收驱动电路以及开关电源有效

专利信息
申请号: 201521105620.8 申请日: 2015-12-25
公开(公告)号: CN205356134U 公开(公告)日: 2016-06-29
发明(设计)人: 罗俊义 申请(专利权)人: 北京迪赛奇正科技有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32
代理公司: 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人: 王伟锋;刘铁生
地址: 100070 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 有源 吸收 驱动 电路 以及 开关电源
【权利要求书】:

1.一种有源吸收驱动电路,其特征在于,其包括:

开关器件;

有源吸收电路,所述有源吸收电路包括第一电容和P型MOS管,所述有源吸收电路与所述开关器件并联;

有源驱动电路,所述有源驱动电路包括驱动信号采集电路、驱动信号反相电路、驱动信号增强电路、驱动电压负向平移电路;

所述有源驱动电路与所述有源吸收电路连接,用于采集开关器件上的电压信号,并驱动所述P型MOS管的通断,当开关器件关断产生尖峰电压时,所述有源驱动电路驱动所述有源吸收电路中的P型MOS管开通,所述第一电容吸收所述尖峰电压。

2.根据权利要求1所述的有源吸收驱动电路,其特征在于,

所述驱动信号采集电路的第一端与所述开关器件的高电位端连接,所述驱动信号采集电路的第二端与所述驱动信号反相电路的第一端连接,所述驱动信号反相电路第二端与所述驱动信号增强电路第一端连接,所述驱动信号反相电路第三端与所述开关器件低电位端连接,所述驱动信号增强电路的第二端与所述驱动电压负向平移电路第一端连接,所述驱动信号增强电路的第三端与所述P型MOS管的S极连接,所述驱动电压负向平移电路第二端与所述P型MOS管的G极连接,所述驱动电压负向平移电路第三端与所述P型MOS管的S极连接。

3.根据权利要求1所述的有源吸收驱动电路,其特征在于,

所述开关器件为二极管或MOS管。

4.根据权利要求1所述的有源吸收驱动电路,其特征在于,

所述第一电容的第一端与所述开关器件的高电位端连接,所述第一电容的第二端与所述P型MOS管的D极连接,所述P型MOS管的S极与所述开关器件的低电位端连接。

5.根据权利要求1所述的有源吸收驱动电路,其特征在于,

所述驱动信号采集电路包括第二电容,所述第二电容第一端为所述驱动信号采集电路第一端,所述第二电容的第二端为所述驱动信号采集电路第二端。

6.根据权利要求1所述的有源吸收驱动电路,其特征在于,

所述驱动信号反相电路包括第一NPN型三极管、第一二极管;

所述第一二极管的正极与所述第一NPN型三极管的E极连接,所述第一二极管的负极与所述第一NPN型三极管的B极连接,所述第一NPN型三极管的E极为所述驱动信号反相电路第三端,所述第一NPN型三极管B极为所述驱动信号反相电路第一端,所述第一NPN型三极管C极为所述驱动信号反相电路第二端。

7.根据权利要求1所述的有源吸收驱动电路,其特征在于,

所述驱动信号反相电路包括第一NPN型三极管、第三电阻;

所述第三电阻的一端与所述第一NPN型三极管的E极连接,所述第三电阻的另一端与所述第一NPN型三极管的B极连接,所述第一NPN型三极管的E极为所述驱动信号反相电路第三端,所述第一NPN型三极管B极为所述驱动信号反相电路第一端,所述第一NPN型三极管C极为所述驱动信号反相电路第二端。

8.根据权利要求1所述的有源吸收驱动电路,其特征在于,

所述驱动信号增强电路包括第二NPN型三极管、第一PNP型三极管、第一电阻以及直流电源;

所述第一电阻的一端与所述第二NPN型三极管的B极以及第一PNP型三极管的B极连接,作为所述驱动信号增强电路的第一端,第二NPN型三极管的C极、第一电阻的另一端共同连接于所述直流电源上,所述第二NPN型三极管的E极与所述第一PNP型三极管的E极连接,作为所述驱动信号增强电路的第二端,所述第一PNP型三极管的C极为所述驱动信号增强电路的第三端;

所述直流电源用于给所述有源驱动电路供电。

9.根据权利要求1所述的有源吸收驱动电路,其特征在于,

所述驱动电压负向平移电路包括:第三电容、第二二极管、第二电阻;

所述第三电容第一端为所述驱动电压负向平移电路第一端,所述第三电容第二端、第二二极管正极、第二电阻一端连接在一起,作为所述驱动电压负向平移电路第二端,所述第二二极管的负极与所述第二电阻另一端连接,作为所述驱动电压负向平移电路第三端。

10.一种开关电源,其特征在于,其包括:

上述权利要求1-9中任一所述的有源吸收驱动电路。

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