[实用新型]抗蚀剂层的薄膜化装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及抗蚀剂层的薄膜化装置。

背景技术

随着电气及电子部件的小型化、轻量化、多功能化，对于以回路形成用的干膜抗蚀 剂（dryfilmresist）、焊料抗蚀剂（solderresist）为首的感光性树脂（感光性材料），为 了对应于印刷配线板（printedwiringboard、PWB）的高密度化而要求高分辨率。由这些感 光性树脂实现的图像形成通过在将感光性树脂曝光后显影来进行。

为了对应于印刷配线板的小型化、高功能化，感光性树脂有薄膜化的倾向。在感光 性树脂中有涂敷液体而使用的类型（液状抗蚀剂、liquidresist）和干膜类型（干膜抗蚀 剂）。最近，开发了厚度为15μm以下的干膜抗蚀剂，其产品化正在推进。但是，在这种薄的干 膜抗蚀剂中，与以往的厚度的抗蚀剂相比，密接性及对凹凸的追随性不充分，有发生剥离或 空隙（void）等的问题。

为了解决这些问题，提出了在使用较厚的感光性树脂的同时能够实现高分辨率的 手段。例如，在通过减去（subtractive）法制作导电图案的方法中，公开了下述导电图案的 形成方法，其特征在于，在绝缘层的单面或两面上设置金属层而成的层叠基板上粘贴蚀刻 抗蚀剂用的干膜抗蚀剂而形成抗蚀剂层后，进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着，进行回路图 案的曝光工序、显影工序、蚀刻工序（例如参照专利文献1）。此外，在形成焊料抗蚀剂图案的 方法中，公开了下述焊料抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于，在具有导电性图案的回路基 板上形成由焊料抗蚀剂构成的抗蚀剂层后，进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着进行图案曝 光工序，再次进行抗蚀剂层的薄膜化工序（例如参照专利文献2及3）。

此外，在专利文献4中公开了一种抗蚀剂层的薄膜化装置，至少包括：薄膜化处理 单元，将形成有抗蚀剂层的基板浸渍（dip）到高浓度的碱性水溶液（薄膜化处理液）中而将 抗蚀剂层的成分的胶束先不溶化，使其不易溶解扩散到处理液中；胶束除去处理单元，通过 胶束除去液喷雾而将胶束一下子溶解除去。

使用图7所示的概略剖视图对作为专利文献4所公开的薄膜化装置的一部分的薄 膜化处理单元11和胶束除去处理单元12进行说明。在薄膜化处理单元11中，从投入口7投入 基板3。在基板3表面形成有抗蚀剂层。基板3从浸渍槽的入口辊对4向浸渍槽2中运送。而且， 通过浸渍槽的运送辊对8，在浸渍在薄膜化处理液1中的状态下向浸渍槽2中运送，进行抗蚀 剂层的薄膜化处理。然后，基板3向胶束除去处理单元12运送。在胶束除去处理单元12中，对 于由胶束除去处理单元的运送辊9运送来的基板3，通过胶束除去液供给管20从胶束除去液 用喷嘴21供给胶束除去液喷雾22。在薄膜化处理单元11内部的浸渍槽2中，通过作为高浓度 的碱性水溶液的薄膜化处理液1，基板3的抗蚀剂层中的成分被胶束化，该胶束对于薄膜化 处理液1先不溶化。然后，通过用胶束除去液喷雾22将胶束除去，抗蚀剂层被薄膜化。

在图7所示的抗蚀剂层的薄膜化装置中，在从浸渍槽的出口辊对5到边界部的运送 辊对6之间，基板3上的抗蚀剂层表面成为被从浸渍槽2带出的薄膜化处理液1的液膜覆盖的 状态。由于薄膜化处理液1是高浓度的碱性水溶液，所以若覆盖状态下的基板3向胶束除去 处理单元12中运送，则胶束除去液的pH上升。

通过胶束除去液的pH维持在5.0～10.0的范围，能够保持抗蚀剂层向胶束除去液 的溶解扩散性为一定，能够进行稳定的连续薄膜化（例如参照专利文献3）。但是，在基板3上 的抗蚀剂层表面不平坦的情况下、或基板3的厚度大的情况下，抗蚀剂层表面上的薄膜化处 理液1的覆盖量及基板3表面的薄膜化处理液1的附着量增多，有胶束除去液的pH更容易上 升的倾向。进而，在以快的运送速度进行连续处理的情况下，单位时间带入胶束除去处理单 元12的薄膜化处理液量增多。这样一来，胶束除去液的pH过度上升，有pH的控制困难，在胶 束除去性能上发生离散，抗蚀剂层的薄膜化处理量不均匀的情况。

这样，若薄膜化处理量变得不均匀，在薄膜化后的抗蚀剂层中存在更薄的部分，则 在减去法的导电图案形成中成为回路的断线的原因，在焊料抗蚀剂的图案形成中成为耐候 性下降的原因，有哪种都带来生产中的成品率的下降的问题。

专利文献1：国际公开第2009／096438号手册，

专利文献2：日本国特开2011-192692号公报，