[实用新型]一种耐浪涌保护电路有效

专利信息
申请号: 201521084400.1 申请日: 2015-12-23
公开(公告)号: CN205377651U 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 鹿靖;尹宝超 申请(专利权)人: 北京航空航天大学;北京弥佳电子科技有限公司
主分类号: H02M1/32 分类号: H02M1/32;H02H9/04
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 杨勇;郑建晖
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 浪涌 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种耐浪涌保护电路(100),其特征在于,包括:

瞬态尖峰电压抑制电路(101),所述瞬态尖峰电压抑制电路(101)的输入与直流供电输入(S)连接;

过压浪涌保护电路(102),所述过压浪涌保护电路(102)的输入与所述瞬态尖峰电压抑制电路(101)的输出连接;

欠压浪涌保护电路(103),所述欠压浪涌保护电路(103)的输入与所述过压浪涌保护电路(102)的输出连接;

其中,所述欠压浪涌保护电路(103)的输出与用电设备(E)连接以为该用电设备(E)供电。

2.根据权利要求1所述的耐浪涌保护电路(100),其特征在于,所述瞬态尖峰电压抑制电路(101)包括瞬态电压抑制二极管(D11)、第一电容器(C11)、第二电容器(C12)以及第三电容器(C13),其中瞬态电压抑制二极管(D11)连接在正电压输入端和负电压输入端之间,第一电容器(C11)、第二电容器(C12)以及第三电容器(C13)与瞬态电压抑制二极管(D11)并联连接。

3.根据权利要求2所述的耐浪涌保护电路(100),其特征在于,所述瞬态电压抑制二极管(D11)为双向瞬态电压抑制二极管,用于吸收正负脉冲。

4.根据权利要求3所述的耐浪涌保护电路(100),其特征在于,所述双向瞬态电压抑制二极管的额定电压为78V。

5.根据权利要求2所述的耐浪涌保护电路(100),其特征在于,所述瞬态尖峰电压抑制电路(101)被配置为将600V尖峰脉冲限制在80V以下。

6.根据权利要求1所述的耐浪涌保护电路(100),其特征在于,所述过压浪涌保护电路(102)包括第四电容器(C21)、第五电容器(C22)、第六电容器(C23)、第一电阻器(R21)、第二电阻器(R22)、第三电阻器(R23)、第一电压钳位功率晶体管(Q21)和第一集成电路(U1),第一集成电路(U1)以如下方式配置:fb引脚通过第二电阻器(R22)连接到所述过压浪涌保护电路(102)的输出端且fb引脚通过第三电阻器(R23)连接地电位(GND);out引脚连接至所述过压浪涌保护电路(102)的输出端;gate引脚通过第一电阻器(R21)连接至第一电压钳位功率晶体管(Q21)的栅极且gate引脚通过第四电容器(C21)连接至地电位(GND);sns引脚连接至所述过压浪涌保护电路(102)的输入端且sns引脚通过第五电容器(C22)连接至地电位(GND);vcc引脚连接至sns引脚;引脚、引脚以及en引脚闲置;gnd引脚连接至地电位(GND);tmr引脚通过第六电容器(C23)连接至地电位(GND);

其中,第一电压钳位功率晶体管(Q21)的源极连接至所述过压浪涌保护电路(102)的输出端,第一电压钳位功率晶体管(Q21)的漏极连接至所述过压浪涌保护电路(102)的输入端。

7.根据权利要求6所述的耐浪涌保护电路(100),其特征在于,所述过压浪涌保护电路(102)的最高输入电压被设置为100V,所述过压浪涌保护电路(102)被配置为将80V电压限制在32V以下。

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