[实用新型]一种耐浪涌保护电路有效
申请号: | 201521084400.1 | 申请日: | 2015-12-23 |
公开(公告)号: | CN205377651U | 公开(公告)日: | 2016-07-06 |
发明(设计)人: | 鹿靖;尹宝超 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学;北京弥佳电子科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/32 | 分类号: | H02M1/32;H02H9/04 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 杨勇;郑建晖 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 浪涌 保护 电路 | ||
1.一种耐浪涌保护电路(100),其特征在于,包括:
瞬态尖峰电压抑制电路(101),所述瞬态尖峰电压抑制电路(101)的输入与直流供电输入(S)连接;
过压浪涌保护电路(102),所述过压浪涌保护电路(102)的输入与所述瞬态尖峰电压抑制电路(101)的输出连接;
欠压浪涌保护电路(103),所述欠压浪涌保护电路(103)的输入与所述过压浪涌保护电路(102)的输出连接;
其中,所述欠压浪涌保护电路(103)的输出与用电设备(E)连接以为该用电设备(E)供电。
2.根据权利要求1所述的耐浪涌保护电路(100),其特征在于,所述瞬态尖峰电压抑制电路(101)包括瞬态电压抑制二极管(D11)、第一电容器(C11)、第二电容器(C12)以及第三电容器(C13),其中瞬态电压抑制二极管(D11)连接在正电压输入端和负电压输入端之间,第一电容器(C11)、第二电容器(C12)以及第三电容器(C13)与瞬态电压抑制二极管(D11)并联连接。
3.根据权利要求2所述的耐浪涌保护电路(100),其特征在于,所述瞬态电压抑制二极管(D11)为双向瞬态电压抑制二极管,用于吸收正负脉冲。
4.根据权利要求3所述的耐浪涌保护电路(100),其特征在于,所述双向瞬态电压抑制二极管的额定电压为78V。
5.根据权利要求2所述的耐浪涌保护电路(100),其特征在于,所述瞬态尖峰电压抑制电路(101)被配置为将600V尖峰脉冲限制在80V以下。
6.根据权利要求1所述的耐浪涌保护电路(100),其特征在于,所述过压浪涌保护电路(102)包括第四电容器(C21)、第五电容器(C22)、第六电容器(C23)、第一电阻器(R21)、第二电阻器(R22)、第三电阻器(R23)、第一电压钳位功率晶体管(Q21)和第一集成电路(U1),第一集成电路(U1)以如下方式配置:fb引脚通过第二电阻器(R22)连接到所述过压浪涌保护电路(102)的输出端且fb引脚通过第三电阻器(R23)连接地电位(GND);out引脚连接至所述过压浪涌保护电路(102)的输出端;gate引脚通过第一电阻器(R21)连接至第一电压钳位功率晶体管(Q21)的栅极且gate引脚通过第四电容器(C21)连接至地电位(GND);sns引脚连接至所述过压浪涌保护电路(102)的输入端且sns引脚通过第五电容器(C22)连接至地电位(GND);vcc引脚连接至sns引脚;引脚、引脚以及en引脚闲置;gnd引脚连接至地电位(GND);tmr引脚通过第六电容器(C23)连接至地电位(GND);
其中,第一电压钳位功率晶体管(Q21)的源极连接至所述过压浪涌保护电路(102)的输出端,第一电压钳位功率晶体管(Q21)的漏极连接至所述过压浪涌保护电路(102)的输入端。
7.根据权利要求6所述的耐浪涌保护电路(100),其特征在于,所述过压浪涌保护电路(102)的最高输入电压被设置为100V,所述过压浪涌保护电路(102)被配置为将80V电压限制在32V以下。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
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