[实用新型]一种五主栅太阳能电池组件有效
| 申请号: | 201521032009.7 | 申请日: | 2015-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN205211775U | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
| 发明(设计)人: | 万翠凤;吴培;芦振浩;马小彬;何植业 | 申请(专利权)人: | 江苏艾德太阳能科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/042 |
| 代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 张惠忠 |
| 地址: | 221121 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 五主栅 太阳能电池 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种五主栅太阳能电池组件,属于太阳能电池领域。
背景技术
太阳能电池组件主要由表层玻璃、胶膜、电池片、背板等部件组成,其中电池片成 本占总成本的60%,所以电池片的成本高低决定着组件的成本高低,于是控制电池片的成本 就显得至关重要。电池电极是电池的重要组成部分,它负责把电池体内的光生电流引起电 池外部;同时在将电池做成组件时和焊条起传导电流的作用。太阳电池电极分为正电极、背 电极。目前业内大部分使用的电极图形是两根或者三根主栅。
现有的技术均如申请号为CN201310294413.0,发明名称为“一种四主栅正电极太 阳能晶体硅电池”所述,该晶体硅电池居中设置4条主栅线及与主栅线相垂直设置的副栅 线,所述的主栅线相互平行,为实心直线结构或分段的镂空部分及非镂空部分组成的直线 结构,主栅线的末端设置尖头或平头电极,所述的副栅线设有80-140条,相互平行设置并 均与所述的主栅线相垂直。所述的太阳能晶体硅电池为单晶硅太阳能电池片或多晶硅太 阳能电池片。所述的太阳能晶体硅电池的边长为152-155mm。所述的主栅线之间的间38- 40mm。所述的实心直线结构的主栅线的宽度为0.5-1.5mm。所述的镂空部分的长度为1- 15mm,宽度为0.1-1.0mm,所述的非镂空部分的长度为2-15mm,宽度为0.5-1.5mm。所述的副 栅线的宽度为20-80μm。所述的太阳能晶体硅电池的外侧四周设置有边框。所述的太阳能 晶体硅电池的外侧四周未设置边框。现有的两根或者三根主栅的电极图形不能完全收集电 池表面的光生载流子,不能使电池输出功率最大化,且背电极覆盖面积较大,造成导电银浆 的消耗过大。因此寻求一种提高电池转换效率、减少生产成本的高效率太阳能电池尤为重 要。
实用新型内容
本实用新型提供一种五主栅太阳能电池组件,不仅降低生产成本,而且使得收集 载流子能力变强,提高工作效率。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:
一种五主栅太阳能电池组件,所述五主栅太阳能电池组件包括由上至下依次叠加 设置的压花钢化玻璃,高透型EVA胶,多组五主栅电池片,紫外截止型EVA胶,背板;所述五主 栅电池片包括多组电池片,所述多组电池片之间通过焊带焊接相连;所述电池片包括多条 主栅线和多条副栅线,所述主栅线与副栅线垂直设置;所述副栅线两两平行设置,所述主栅 线的顶端与底端均与副栅线相连接,且所述主栅线设有五根;
作为本实用新型的进一步优选,所述太阳能组件是由五主栅电池片排列而成,电 池片与电池片之间通过五根焊带连接;
作为本实用新型的进一步优选,所述主栅线的长度小于电池片的长度;
作为本实用新型的进一步优选,所述副栅线的长度小于电池片的宽度;
作为本实用新型的进一步优选,所述主栅线两两平行设置,均与副栅线垂直设置。
通过以上技术方案,相对于现有技术,本实用新型具有以下有益效果:
本实用新型所述五主栅太阳能电池组件包括五主栅电池片,所述五主栅电池片包 括多组电池片,所述多组电池片之间通过焊带焊接相连;所述电池片包括多条主栅线和多 条副栅线,所述主栅线与副栅线垂直设置;所述副栅线两两平行设置,所述主栅线的顶端与 底端均与副栅线相连接,且所述主栅线设有五根,通过设有五根主栅线,使得收集载流子能 力变强,提高工作效率,而且降低了生产成本。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的优选实施例的立体图;
图2是本实用新型的多组五主栅电池片结构示意图。
图中:1为压花钢化玻璃,2为高透型EVA胶,3为五主栅电池片,4为紫外截止型EVA 胶,5为背板。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图, 仅以示意方式说明本实用新型的基本结构,因此其仅显示与本实用新型有关的构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





