[实用新型]一种N型背结双面电池有效
| 申请号： | 201521024519.X | 申请日： | 2015-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN205211766U | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 张伟;郞芳;杨伟光;王平;王建明;史金超 | 申请（专利权）人： | 英利能源（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李瑞妍 |
| 地址： | 071051 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 型背结 双面 电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种N型背结双面电池，其特征在于，包括硅片衬底（1），硅片衬底（1）的正面自内向外依次为磷掺杂电池前场（2）、氧化硅钝化层（4）、氮化硅减反射层（5）、正面银电极（6），硅片衬底（1）的背面自内向外依次为硼掺杂电池发射极（3）、氧化硅钝化层（4）、氮化硅减反射层（5）、背面银铝电极（7），正面银电极（6）和背面银铝电极（7）均为栅线结构。
2.根据权利要求1所述的N型背结双面电池，其特征在于，硅片衬底（1）背面为先形成氧化硅钝化层，然后再沉积氧化铝叠层。
3.根据权利要求2所述的N型背结双面电池，其特征在于，氧化铝叠层的厚度为1nm-5nm。
4.根据权利要求1所述的N型背结双面电池，其特征在于，氮化硅减反射层（5）的厚度为60nm-80nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
