[实用新型]驱动芯片及LED恒流驱动控制电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子技术领域，尤其涉及一种驱动芯片及LED恒流驱动控制电路。

背景技术

图1为一种传统的LED驱动电路，其中，整流桥103将自交流源101所输入的交流电 压整流滤波为直流电压，并且存储于电容C1，而电容C2作为一种用于控制电压稳压的电 容，图1所示的芯片U1的VCC引脚接收输入电压VCC，以供电至芯片U1。所述芯片U1 通过所述芯片U1的DRAIN引脚电连接至一电感L1，所述电感L1连接在图1所示的DRAIN 端和VOUT端之间，所述电感L1对自所述芯片U1的DRAIN引脚流至所述芯片U1的电 流进行滤波。图1所示的多个LED呈串联状态，且与电容C3及续流二极管D1并联，所述 多个LED连接在VBUS端和VOUT端之间。图1所述的芯片U1为BUCK架构，与所述 芯片U1电连接的电阻R2可以作为采样电阻，所述芯片U1的CS引脚采集流经电阻R2的 电流而获得相应的电压信号。

图2是所述芯片U1的内部框图，所述芯片U1的VCC引脚为所述芯片U1的供电引脚， 用以通过所述VCC引脚供电至所述芯片U1。所述芯片U1的DRAIN引脚连接至一内部的 高压MOS管，该高压MOS管为一种LDMOS管。所述芯片U1的CS引脚为所述芯片U1 的采样引脚，用以采集流经所述高压MOS管的电流。所述芯片U1的GND引脚为所述芯 片的接地引脚。所述CS引脚电连接至一比较器的第一输入端，用以将输入至所述比较器的 第一输入端的CS采样信号与所述比较器的第二输入端所接收的基准电压进行比较。当输入 的CS采样信号的电压大于所述基准电压时，则所述比较器输出一关断信号至一控制逻辑模 块，所述控制逻辑模块在接收到所述关断信号后，发送一控制信号以关断所述高压MOS管。 由于电感L1的电流无法瞬间跳变，因此，所述电感L1中的电流逐步减小，直至减小至零， 此时所述芯片U1的过零检测模块检测到所述电感L1中的电流为零，则发送一过零检测信 号至所述控制逻辑模块，使得所述控制逻辑模块发生复位，进而所述控制逻辑模块发送一 控制信号至所述高压MOS管，以重新导通所述高压MOS管。也就是说，当所述电感L1 的电流被充电至一预设阈值时，所述芯片U1关断所述高压MOS管，当所述电感L1的电 流放电至零时，所述芯片U1导通所述高压MOS管，以这样的方式重复循环。因此，所述 芯片U1内部的高压MOS管在开关状态之间反复切换，以使得所述芯片U1工作在临界导 通模式下。

图3是所述芯片U1的工作波形图。如图3所示，在0～t1时刻，所述芯片U1内部的高压MOS管导通，DRAIN引脚端的电压近似等于CS引脚端的电压，在此期间，所述电感L1进入充电状态，所述电感L1的两端的电压差为VOUT-DRAIN，近似等于VOUT，因此，所述电感L1的充电斜率为此时，流经与所述CS引脚端电相连的电阻R2的电流与流经所述电感L1的电流相等。当所述CS引脚端的电压逐渐增大，直至达到预设阀值时(例如为600mV＝0.6V)，所述芯片U1通过所述控制逻辑模块关断所述高压MOS管。流经所述CS引脚端的峰值电流等于流经所述电感L1的峰值电流，即为(安培)，且充电时间当所述高压MOS管在t1时刻关断后，由于所述电感L1中的电流无法瞬间跳变，使得DRAIN引脚端的电压被充电至大于VBUS端的一正向导通的二极管电压降，也就是说，所述DRAIN引脚端的电压近似等于所述VBUS端的电压，所述电感L1两端产生了与所述电感L1充电方向同向的压降，该压降为VOUT-VBUS，所述电感L1的放电斜率为放电时间为当所述电感L1中的电流放电至零后，所述过零检测模块检测到所述电感L1中的电流为零时，发送一过零检测信号至所述控制逻辑模块，使得所述控制逻辑模块控制所述高压MOS管重新导通，进而使得所述电感L1重新充电，于是开始新的一周期。

由上可见，上述所述芯片U1的CS引脚和GND引脚分别起到采样和接地的作用。然 而，随着现有技术中的芯片内部电路结构日益复杂，空闲的芯片引脚逐渐减少，而芯片需 要完成更多功能，因此，对于芯片设计的技术人员而言，如何有效地利用芯片引脚成为一 关键问题。

实用新型内容

为了解决上述问题，本实用新型提供一种驱动芯片及利用该驱动芯片的LED恒流驱动 控制电路，所述驱动芯片能够有效节省芯片的一引脚，而且所述驱动芯片的CS引脚起到采 样和相对地的功能，从而能够降低所述驱动芯片的成本。