[实用新型]一种集成封装单纤双向高速光收发一体器件有效
申请号: | 201520889728.4 | 申请日: | 2015-11-10 |
公开(公告)号: | CN205157845U | 公开(公告)日: | 2016-04-13 |
发明(设计)人: | 薛贤铨;孙全意 | 申请(专利权)人: | 厦门市芯诺通讯科技有限公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成 封装 双向 高速 收发 一体 器件 | ||
1.一种集成封装单纤双向高速光收发一体器件,包括基板,光收发公共端,半导体激光器芯片,半导体探测器芯片,第一铜热沉,第二铜热沉,滤光片,聚焦透镜以及反射镜,其特征在于,基板一端固定光收发公共端,基板另一端上部固定第一铜热沉,第一铜热沉上设有氮化铝基板,第一铜热沉通过氮化铝基板连接半导体激光器芯片,基板另一端下部固定第二铜热沉,第二铜热沉侧壁上设有氮化铝基板,第二铜热沉侧壁上通过氮化铝基板连接半导体探测器芯片,半导体激光器芯片和半导体探测器芯片上连接正电极引线和负电极引线,正电极引线和负电极引线接入电极软板中,基板中部上方位置设有滤光片,滤光片一侧为聚焦透镜,基板中部下方位置设有反射镜。
2.根据权利要求1所述的集成封装单纤双向高速光收发一体器件,其特征在于,所述光收发公共端能够形成收发共用。
3.根据权利要求1所述的集成封装单纤双向高速光收发一体器件,其特征在于,所述第一铜热沉厚度为1mm,第二铜热沉厚度为2mm。
4.根据权利要求1所述的集成封装单纤双向高速光收发一体器件,其特征在于,所述半导体激光器芯片为调制速率10Gbps的1310nm边发射器件。
5.根据权利要求1所述的集成封装单纤双向高速光收发一体器件,其特征在于,所述半导体探测器芯片为调制速率10Gbps的1310nm面接收器件。
6.根据权利要求1所述的集成封装单纤双向高速光收发一体器件,其特征在于,所述半导体激光器芯片和半导体探测器芯片为光通信波段的1310nm或1550nm器件。
7.根据权利要求1所述的集成封装单纤双向高速光收发一体器件,其特征在于,所述聚焦透镜固定在透镜固定座上,聚焦透镜为球透镜,直径为2mm。
8.根据权利要求1所述的集成封装单纤双向高速光收发一体器件,其特征在于,所述光收发公共端与聚焦透镜之间的距离为聚焦透镜的焦距,聚焦透镜的焦距为6-7mm。
9.根据权利要求1所述的集成封装单纤双向高速光收发一体器件,其特征在于,所述聚焦透镜与半导体激光器芯片出光端面的距离为1-2mm。
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