[实用新型]驱动控制电路及具有该电路的压电喷射阀

权利要求书

1.一种驱动控制电路，包括电源模块、控制模块、第一和第二功率 器件，所述第一和第二功率器件的输出端分别用于驱动连接压电喷射阀上 成对设置的压电陶瓷片，其特征在于，所述控制模块的一个输出端同时连 接所述第一和第二功率器件的输入端，所述控制模块的输出端和第一功率 器件的输入端之间设置有第一光耦合器，所述控制模块的输出端和第二功 率器件的输入端之间设置有第二光耦合器，所述第一光耦合器和第二光耦 合器分别在高、低电平下工作。

2.根据权利要求1所述的驱动控制电路，其特征在于，所述第一光 耦合器的内部发光二极管的正极连接所述控制模块的输出端，所述第一光 耦合器的内部发光二极管的负极接地；

所述第二光耦合器的内部发光二极管的正极接电源正极，所述第二光 耦合器的内部发光二极管的负极连接所述控制模块的输出端。

3.根据权利要求2所述的驱动控制电路，其特征在于，所述第一光 耦合器的内部发光二极管的正极和所述控制模块的输出端之间设置有第 一稳压二极管；

所述第二光耦合器的内部发光二极管的负极和所述控制模块的输出 端之间设置有第二稳压二极管。

4.根据权利要求3所述的驱动控制电路，其特征在于，所述第一功 率器件和第二功率器件分别为第一MOSFET和第二MOSFET，其中：

所述第一MOSFET的栅极连接所述第一光耦合器的输出端，所述第 一MOSFET的漏极接电源正极，所述第一MOSFET的源极和栅极分别经 电阻后连接所述第二MOSFET的漏极，所述第一MOSFET的漏极和所述 第二MOSFET的漏极分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压电陶 瓷片中的一个压电陶瓷片的两端；

所述第二MOSFET的栅极连接所述第二光耦合器的输出端，所述第 二MOSFET的源极和栅极分别经电阻后接地，所述第二MOSFET的漏极 和所述第二MOSFET的地分别用于驱动连接压电喷射阀上成对设置的压 电陶瓷片中的另一个压电陶瓷片的两端。

5.根据权利要求4所述的驱动控制电路，其特征在于，所述驱动控 制电路还包括第一恒流源放电回路和/或第二恒流源放电回路，所述第一恒 流源放电回路包括第一滑动变阻器、第一运算放大器和第三MOSFET，所 述第二恒流源放电回路包括第二滑动变阻器、第二运算放大器和第四 MOSFET，其中：

所述第一滑动变阻器的两端分别连接电源正极和地，所述第一滑动变 阻器的滑动端经电阻后连接所述第一运算放大器的同相输入端，所述第一 运算放大器的输出端连接所述第三MOSFET的栅极，所述第一运算放大 器的反相输入端经电阻后连接所述第三MOSFET的源极，所述第一运算 放大器的同相输入端与输出端之间连接有电容，所述第三MOSFET的源 极经电阻后接地，所述第三MOSFET的漏极和源极分别用于连接压电喷 射阀上成对设置的压电陶瓷片中的一个压电陶瓷片的两端；

所述第二滑动变阻器的两端分别连接电源正极和地，所述第二滑动变 阻器的滑动端经电阻后连接所述第二运算放大器的同相输入端，所述第二 运算放大器的输出端连接所述第四MOSFET的栅极，所述第二运算放大 器的反相输入端经电阻后连接所述第四MOSFET的源极，所述第二运算 放大器的同相输入端与输出端之间连接有电容，所述第四MOSFET的源 极经电阻后接地，所述第四MOSFET的漏极和源极分别用于连接压电喷 射阀上成对设置的压电陶瓷片中的另一个压电陶瓷片的两端。