[实用新型]直流抗浪涌系统有效
申请号: | 201520807556.1 | 申请日: | 2015-10-16 |
公开(公告)号: | CN205017005U | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 姜首志 | 申请(专利权)人: | 上海亿威美越航空器材技术有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 朱俊跃 |
地址: | 200120 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 直流 浪涌 系统 | ||
1.一种直流抗浪涌系统,其特征在于,应用于对直流用电设备的抗浪涌过程中,所述直流抗浪涌系统包括:
输入端和输出端,分别将电源电压输入和输出;
尖峰抑制模块,与所述输入端连接,吸收输入电压的尖峰电压的能量;
过压抑制模块,与所述尖峰抑制模块、输出端连接,抑制过压浪涌后通过所述输出端将所述输入电压输出;
防掉电电路,分别与所述过压抑制模块、所述输出端连接,补偿耐欠压浪涌,以使所述直流用电设备在设定的尖峰电压和浪涌电压情况下正常工作;
加热控制电路,与所述过压抑制模块连接,包括一控制端,以及
所述加热控制电路通过所述控制端接收一控制信号,以控制一所述电源对加热器件的加热。
2.根据权利要求1所述的直流抗浪涌系统,其特征在于,所述尖峰抑制模块包括:
至少一个磁珠,分别与所述输入端连接,平缓所述尖峰电压的波形;
二极管,与所述磁珠连接,将所述尖峰电压钳位到预设值;
电阻,与所述二极管并联后再与所述磁珠串联,消耗所述二极管寄生电容与滤波电容存储的容量。
3.根据权利要求1所述的直流抗浪涌系统,其特征在于,所述尖峰抑制模块吸收600V/10us脉冲电压。
4.根据权利要求2所述的直流抗浪涌系统,其特征在于,所述二极管将所述尖峰电压钳位到85V。
5.根据权利要求1所述的直流抗浪涌系统,其特征在于,所述过压抑制模块抑制80V/50ms的过压浪涌。
6.根据权利要求1所述的直流抗浪涌系统,其特征在于,所述过压抑制电路包括:
至少一个MOS管,其中,一负反馈电路控制所述MOS管P沟道的电流,以进行线性降压。
7.根据权利要求1所述的直流抗浪涌系统,其特征在于,所述MOS管集成于一铝基PCB板上。
8.根据权利要求1所述的直流抗浪涌系统,其特征在于,所述防掉电电路包括:
储能电容,用于存储电能;
升压电路,与所述储能电容连接,对所述储能电容充电,同时降低所述储能电容的容量要求。
9.根据权利要求8所述的直流抗浪涌系统,其特征在于,所述储能电容C的容量公式为:
其中,U1为欠压前的正常供电电压;U2为所述电源的最低工作电压;P0为所述直流用电设备实际功耗;η为所述电源效率;t为所述电源欠压时间。
10.根据权利要求1所述的直流抗浪涌系统,其特征在于,所述加热控制电路包括:
三极管,基极与所述控制端连接,以及
所述控制信号控制所述三极管的导通与截止。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海亿威美越航空器材技术有限公司,未经上海亿威美越航空器材技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520807556.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。