[实用新型]一种弱光型非晶硅太阳能电池有效
申请号: | 201520795896.7 | 申请日: | 2015-10-15 |
公开(公告)号: | CN205104502U | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 刘海;姚群;曾劲刚 | 申请(专利权)人: | 深圳市辰翔新能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/05 |
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地址: | 518133 广东省深圳市坪山新区坪山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 弱光 型非晶硅 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种弱光型非晶硅太阳能电池。
背景技术
太阳能作为一种清洁环保的能源,日益受到人们的青睐,而太阳能电池是充分利用太阳能的一种具体方式。现有技术的太阳能电池通常由前电极层、背电极层以及设在在前电极层和背电极层之间的非晶硅层组成。而非晶硅层往往为单个结构,因此,其产生的电压较低,在使用时需要多个太阳能电池串联组合才能满足用户的使用要求。另外,传统的非晶硅层与背电极层间的电导率低下,电池的串联电阻较高。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的是提供一种结构简单,能产生高电压,并具有高电导率的一种弱光型非晶硅太阳能电池。
为了解决上述技术问题,本实用新型的技术方案是:
一种弱光型非晶硅太阳能电池,包括透明基板,以及依序层叠在所述透明基板上的前电极层,非晶硅层,背电极层和背漆保护层,其特征在于:所述非晶硅层由若干非晶硅单元片相互间隔排列构成,相邻的所述非晶硅单元片之间设有间隙;所述非晶硅层与所述背电极层之间还设有过渡层,所述过渡层包括石墨烯片状层和纳米金属片状层,以及嵌设于所述石墨烯片状层和纳米金属片状层之间的导电高分子层;所述背漆保护层上设有多个电极引出孔,所述电极引出孔上设有可焊电极。
优选地,上述的一种弱光型非晶硅太阳能电池,其中所述间隙为0.1mm~0.5mm。
优选地,上述的一种弱光型非晶硅太阳能电池,其中所述石墨烯片状层和/或所述纳米金属片状层厚度小于10nm。
优选地,上述的一种弱光型非晶硅太阳能电池,其中所述非晶硅单元片为8片。
优选地,上述的一种弱光型非晶硅太阳能电池,其中所述可焊电极的电极焊点包括共用正极或共用负极。
优选地,上述的一种弱光型非晶硅太阳能电池,其中所述可焊电极的电极焊点由相互独立的正极和负极构成。
与现有技术相比较,本实用新型技术效果主要体现在:本实用新型中非晶硅层由若干非晶硅单元片相互间隔排列构成,相邻的非晶硅单元片之间设有间隙,各个非晶硅单元片能单独产生一定电压的电能,经过串联之后使该太阳能电池能产生较高的电压以供使用,同时过渡层提高了电池的填充因子,使其具有更好的电导率,会减少电池的串联电阻从而使得弱光电池的电性能获得显著的提高。本实用新型还在背漆保护层上设置了多组可焊电极,可以在同一电池上输出和不同电压和电流,满足客户对不同功能功率输出的要求。
附图说明
图1:本实用新型结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图,对本实用新型的具体实施方式作进一步详述,以使本实用新型技术方案更易于理解和掌握。
如图1所示,一种弱光型非晶硅太阳能电池,包括透明基板1,以及依序层叠在所述透明基板1上的前电极层2,非晶硅层3,背电极层5和背漆保护层6,其中所述非晶硅层3由若干非晶硅单元片3.1相互间隔排列构成,相邻的所述非晶硅单元片3.1之间设有间隙3.0;所述非晶硅层3与所述背电极层5之间还设有过渡层4,所述过渡层4包括石墨烯片状层和纳米金属片状层,以及嵌设于所述石墨烯片状层和纳米金属片状层之间的导电高分子层;所述背漆保护层6上设有多个电极引出孔,所述电极引出孔上设有可焊电极7。
其中所述间隙3.0为0.1mm~0.5mm。
其中所述石墨烯片状层和/或所述纳米金属片状层厚度小于10nm。
其中所述非晶硅单元片3.1为8片。
其中所述可焊电极7的电极焊点包括共用正极或共用负极或由相互独立的正极和负极构成。
该技术方案中非晶硅层由若干非晶硅单元片相互间隔排列构成,相邻的非晶硅单元片之间设有间隙,各个非晶硅单元片能单独产生一定电压的电能,经过串联之后使该太阳能电池能产生较高的电压以供使用,同时过渡层提高了电池的填充因子,使其具有更好的电导率,会减少电池的串联电阻从而使得弱光电池的电性能获得显著的提高。本实用新型还在背漆保护层上设置了多组可焊电极,可以在同一电池上输出和不同电压和电流,满足客户对不同功能功率输出的要求。
当然,以上只是本实用新型的典型实例,除此之外,本实用新型还可以有其它多种具体实施方式,凡采用等同替换或等效变换形成的技术方案,均落在本实用新型要求保护的范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的