[实用新型]薄膜晶体管驱动电路有效
申请号: | 201520717477.1 | 申请日: | 2015-09-16 |
公开(公告)号: | CN205080864U | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 张永晖;梅增霞;梁会力;刘尧平;杜小龙 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | G09F9/33 | 分类号: | G09F9/33;G09G3/32 |
代理公司: | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人: | 王勇;李科 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 驱动 电路 | ||
1.一种薄膜晶体管驱动电路,其特征在于,包括:
串联的薄膜晶体管和发光元件;
连接在所述薄膜晶体管的栅极和漏极之间的电荷存储元件;以及
开启电压可调薄膜晶体管,其源极、漏极、栅极和调节电极分别连接至所述薄膜晶体管的栅极、列扫描信号源、行扫描信号源和调节信号源。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管驱动电路,其特征在于,所述薄膜晶体管和发光元件依次串联连接在电源和参考地之间。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管驱动电路,其特征在于,所述薄膜晶体管驱动电路还包括与所述薄膜晶体管和发光元件串联的电阻。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管驱动电路,其特征在于,所述电阻连接在所述电源和所述薄膜晶体管的漏极之间。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管驱动电路,其特征在于,所述开启电压可调薄膜晶体管为双源极薄膜晶体管。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管驱动电路,其特征在于,所述开启电压可调薄膜晶体管为双栅极薄膜晶体管,所述双栅极薄膜晶体管的位于其源极和漏极之间的顶栅作为所述调节电极。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管驱动电路,其特征在于,所述发光元件为发光二极管。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的薄膜晶体管驱动电路,其特征在于,所述电荷存储元件为电容。
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