[实用新型]半导体激光器驱动电路及包括该电路的半导体激光器

权利要求书

1.一种半导体激光器驱动电路，其特征在于，包括用于接收外部触发信号并产生正向窄脉冲的微分电路(10)、雪崩三极管(Q1)、储能电容(C2)、用于在所述雪崩三极管(Q1)断开时对所述储能电容(C2)进行充电的充电电路(30)、用于在所述雪崩三极管(Q1)导通时接收所述储能电容(C2)放电释放的能量以驱动半导体激光器产生脉冲激光的光脉冲产生电路(20)；

所述微分电路(10)的输出端连接至所述雪崩三极管(Q1)的基极，所述雪崩三极管(Q1)的集电极经由一限流电阻(R3)连接至内部电源，所述雪崩三极管(Q1)的集电极还连接至储能电容(C2)的第一端，所述充电电路(30)和光脉冲产生电路(20)均连接在储能电容(C2)的第二端和所述雪崩三极管(Q1)的发射极之间接地，所述雪崩三极管(Q1)的发射极接地，其中，所述内部电源大于所述雪崩三极管(Q1)的一次击穿电压小于所述雪崩三极管(Q1)的二次击穿电压。

2.根据权利要求1所述的半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述微分电路(10)包括第一电容(C1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)；所述第一电容(C1)的第一端用于接收所述触发信号，所述第一电容(C1)的第二端通过所述第一电阻(R1)连接至所述雪崩三极管(Q1)的基极，所述第二电阻(R2)的一端连接在所述雪崩三极管(Q1)的基极、所述第二电阻(R2)的另一端接地。

3.根据权利要求1所述的半导体激光器驱动电路，其特征在于，光脉冲产生电路(20)包括第一电感(L1)和半导体激光二极管(LD1)；所述储能电容(C2)的第二端连接至所述半导体激光二极管(LD1)的阴极，所述半导体激光二极管(LD1)的阳极经由所述第一电感(L1)连接至所述雪崩三极管(Q1)的发射极。

4.根据权利要求1所述的半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述充电电路(30)包括续流二极管(D1)和第四电阻(R4)；所述储能电容(C2)的第二端连接至续流二极管(D1)的阳极和第四电阻(R4)的一端，所述续流二极管(D1)的阴极和第四电阻(R4)的另一端均连接至所述雪崩三极管(Q1)的发射极。

5.根据权利要求1所述的半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括用于对产生的脉冲激光进行整形的整形滤波电路(40)，所述整形滤波电路(40)连接在所述储能电容(C2)的第二端和所述雪崩三极管(Q1)的发射极之间接地。

6.根据权利要求5所述的半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述整形滤波电路(40)包括滤波电容(C3)和第二电感(L2)；所述滤波电容(C3)和第二电感(L2)串联在所述储能电容(C2)的第二端和所述雪崩三极管(Q1)的发射极之间。

7.根据权利要求1所述的半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述雪崩三极管(Q1)的型号为ZTX415。

8.根据权利要求1所述的半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述微分电路(10)的输入端还连接有用于接收所述触发信号并对该触发信号进行缓冲放大的缓冲放大电路(50)。

9.根据权利要求8所述的半导体激光器驱动电路，其特征在于，所述缓冲放大电路(50)包括型号为TC4422A的芯片。

10.一种半导体激光器，其特征在于，包括权利要求1-9任一项所述的半导体激光器驱动电路。