[实用新型]医疗设备红外传感器抗强光干扰的处理电路

权利要求书

1.医疗设备红外传感器抗强光干扰的处理电路，其特征在于，所述处理电路包括：红外发射驱动电路(1)、红外接收选频电路(2)，所述红外发射驱动电路(1)电连接红外接收选频电路(2)；

所述红外发射驱动电路(1)的电路中电连接有红外发射管(11)，在红外发射管(11)负极端电连接电阻R6，所述电阻R6另一端电连接第一NPN型三极管(12)的集电极，第一NPN型三极管(12)的发射极接地，其基极电连接电阻R5，电阻R5的另一端电连接正相放大器(13)，所述正相放大器(13)的另一端电连接驱动芯片(14)，所述驱动芯片(14)设置有四个引脚，其中P0引脚、S引脚分别连接第一运算放大器(15)、第二运算放大器(16)，所述第一运算放大器(15)的输入端正极连接电容C1，输入端负极连接电容C2、电阻R3、第二运算放大器(16)正极，所述第二运算放大器(16)的输入端正极电连接电容C2、电阻R3，所述电阻R3的另一端电连接第二NPN型三极管(17)的集电极、电阻R1，电阻R1的另一端电连接电容C7，电容C7另一端接地，所述第二NPN型三极管(17)的发射极电连接电阻R10，且该发射极接地，第二NPN型三极管(17)的基极连接正相放大器(13)的输入端，所述电阻R10的另一端依次连接电阻R9、电阻R8，电阻R8的另一端电连接电容C7、电阻R1、驱动芯片(14)的P1引脚；

所述红外接收选频电路(2)的电路中电连接有接收芯片(21)，该接收芯片(21)设置有8个引脚，OF引脚、LF引脚、IN引脚分别电连接电容C3、电容C4、电容C8，电容C3、电容C4另一端接地，电容C8另一端电连接电阻R6、光敏三极管(22)的集电极，所述光敏NPN型三极管(22)的发射极接地，接收芯片(21)的VCC引脚电连接电容C5，电容C5另一端接地，OUT引脚电连接开关、发光二极管D1，发光二极管D1正极端连接电阻R4，GND引脚接地，TC引脚与TR引脚之间电连接有电阻R2，TC引脚还电连接电容C6，电容C6的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的医疗设备红外传感器抗强光干扰的处理电路，其特征在于：所述红外发射管(11)为发光二极管。

3.根据权利要求1所述的医疗设备红外传感器抗强光干扰的处理电路，其特征在于：所述电容C1、电容C2的负极端接地。

4.根据权利要求1所述的医疗设备红外传感器抗强光干扰的处理电路，其特征在于：所述电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10的阻值分别是3.9千欧、300欧、3.9千欧、300欧、300欧、300欧、300欧、10千欧、10千欧、10千欧。

5.根据权利要求1所述的医疗设备红外传感器抗强光干扰的处理电路，其特征在于：所述电容C1、电容C2、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8的电容值大小分别是0.1uF、0.1uF、4.7uF、4.7uF、4.7uF、4.7uF、0.033uF、0.033uF。