[实用新型]精密掩膜板

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术，特别是涉及一种精密掩膜板。

背景技术

AMOLED的制程工艺中，有机物通过精密掩膜板被蒸镀到玻璃基板上，形成像素。精密掩膜板的制造精度直接决定蒸镀的精度和每英寸像素数。这就要求精密掩膜板上的像素孔大小和位置必须尽可能准确，才能减少蒸镀缺陷。

精密掩膜板是很薄的片状结构，需要固定在框体上以保证其在蒸镀时呈平面展开。如图1所示，是精密掩膜板1固定在框体2上的示意图，把精密掩膜板1固定在框体2上的过程称为张网。为保证精密掩膜板1呈平面展开状态，张网时需要将精密掩膜板1拉伸。

由于精密掩膜板1上开设有很多用于蒸镀像素材料的孔，其在被拉伸时，可能在各处受力不均，导致精密掩膜板1上出现起伏，使得精密掩膜板1上的像素孔的大小和位置出现偏移。

传统的精密掩膜板的结构中，为了解决上述问题，在除了蒸镀像素的图形区外的一个表面进行半刻蚀，以改变半刻蚀区域的应力，来消除在拉伸时精密掩膜板上的起伏。这种设计可以从一定程度上缓解问题，但是仍然很难将精密掩膜板的应力中性层保持在一个平面上。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种减少拉伸时的起伏的精密掩膜板。

一种精密掩膜板，分为图案区和应力缓冲区，所述应力缓冲区的两面都设有半刻蚀的缓冲图案。

在其中一个实施例中，所述应力缓冲区包括位于图案区之间的第一应力缓冲区。

在其中一个实施例中，所述应力缓冲区包括位于所述精密掩膜板两端的第二应力缓冲区。

在其中一个实施例中，所述精密掩膜板还包括固定区。

在其中一个实施例中，所述应力缓冲区两面的缓冲图案相同，且对应设置。

在其中一个实施例中，所述应力缓冲区两面的缓冲图案相同，且错位相邻设置。

在其中一个实施例中，所述缓冲图案的刻蚀深度小于精密掩膜板厚度的1/4。

在其中一个实施例中，两面的缓冲图案的刻蚀深度之和小于精密掩膜板厚度的1/2。

在其中一个实施例中，所述缓冲图案为沿拉伸方向依次排列的两个以上的矩形凹槽。

在其中一个实施例中，每个矩形凹槽在与拉伸方向垂直的方向上还分成两段。

上述精密掩膜板，通过在应力缓冲区的两面都形成缓冲图案，可以使精密掩膜板的应力中性层两侧受力平衡，减少翘曲和起伏，可提高张网效率。

附图说明

图1为精密掩膜板的固定示意图；

图2为一实施例的精密掩膜板的平面示意图；

图3为精密掩膜板的剖面示意图；

图4为像素孔的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和实施例进行进一步说明。

图2为一实施例的精密掩膜板的平面示意图，图3是精密掩膜板的剖面示意图。参考图2和图3，该精密掩膜板10分为图案区100和应力缓冲区(包括第一应力缓冲区200和第二应力缓冲区300)。

图案区100用于形成所需的层，例如在制作AMOLED时，用于制作像素的精密掩膜板，其图案区是与像素对应的孔，像素材料通过蒸镀的方式，按照精密掩膜板上的像素孔110(如图3所示)蒸镀到底层材料上，形成像素层。可以理解，精密掩膜板也可以在AMOLED制作工艺中形成其它层，或者在其他工艺中用来形成需要的层。

应力缓冲区用来调节精密掩膜板10内部应力，使得精密掩膜板10在被拉伸时，其应力中性层尽量保证在一个平面上。为了达到上述目的，使应力缓冲区在两面都进行半刻蚀，形成缓冲图案。所述缓冲图案可以是沿拉伸方向依次排列的两个以上的矩形凹槽。每个矩形凹槽可以在与拉伸方向垂直的方向上分成两段或以上。

半刻蚀是指非穿透性刻蚀，即应力缓冲区的两面的缓冲图案被刻蚀的深度均小于精密掩膜板10的厚度，同时两面的缓冲图案被刻蚀的深度之和也小于精密掩膜板10的厚度。较佳的，两面的缓冲图案被刻蚀的深度之和也小于精密掩膜板10的厚度的一半。一种情况是，每一面的缓冲图案的刻蚀深度均小于精密掩膜板10的厚度的1/4。另外的情况是，其中一面的缓冲图案的刻蚀深度大于精密掩膜板10的厚度的1/4，但与另一面的缓冲图案的刻蚀深度之和仍小于精密掩膜板10的厚度的一半。

应力缓冲区的两面的缓冲图案的形状、位置以及刻蚀深度根据需要进行确定，通过调节两面缓冲图案的形状、位置以及刻蚀深度，可将精密掩膜板10的应力中性层尽量控制在一个平面上，这样就能够避免精密掩膜板10在拉伸时，产生翘曲、起伏等问题，从而保证图案区内图案的位置和精度不发生偏移。