[实用新型]一种共模扼流圈、滤波电路以及抗电磁干扰的电源滤波器有效
| 申请号: | 201520502510.9 | 申请日: | 2015-07-13 |
| 公开(公告)号: | CN204808998U | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
| 发明(设计)人: | 文志良;文江;增晓东;赖亮;梁伟前;杨娟;王丹;曾斌;张文丽 | 申请(专利权)人: | 深圳市创利电子有限公司 |
| 主分类号: | H01F17/06 | 分类号: | H01F17/06;H01F27/30;H03H7/01;H02M1/12 |
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| 地址: | 518110 广东省深圳市宝安区观澜街道松元社*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 共模扼流圈 滤波 电路 以及 电磁 干扰 电源 滤波器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种共模扼流圈、滤波电路以及抗电磁干扰的电源滤波器。
背景技术
非晶材料是一种新型功能材料,是利用制备非晶的工艺,一次形成厚度约30微米的薄带。当熔融的钢水采用先进的急冷快淬技术,将液态金属以1×10-6℃/sec冷却速度形成厚度为0.03mm左右的固体薄带,得到原子排列组合上具有短程有序,长程无序特点的非晶组织特征,不具备传统合金材料的晶体结构这就是非晶合金。这样快速冷却到厚度仅为几十微米的金属薄带时,钢水所具有的原子无序排列结构便被“冻结”,形成了所谓的“非晶态合金”。
随着开关型电源在工业和家用电器中越来越多的应用,电器之间的相互干扰成为日益严重的问题,电磁环境越来越为人们所关心。电磁干扰有很多种类,其中在10K~30MHz之间的共模干扰是非常重要的一类,它们主要以传导方式传播,对仪器的安全正常运行造成很大危害,必须加以控制。通常在输入端附加共模滤波器,以减轻外界共模干扰通过电源线进入用电器,同时防止用电器产生的共模干扰进入电网。通常采用共模滤波器滤除共模干扰更有效地滤除,而其核心即为共模电感,目前共模电感的磁芯通常选用频率特性较好、成本较低的铁氧体材料,如镍锌材料和锰锌材料,但是由于镍锌材料磁导率低,在低频不能达到高阻抗,因此适用于抑制频率高于20MHz以上的噪声,而锰锌材料虽在低频时磁导率较高,但在高频时衰减太快,适用于抑制10kHz到50MHz的低频噪声,并且铁氧体材料共模电感温度特性差、饱和磁感低、磁导率低等特性在应用时受到了诸多限制,不利于广泛推广。
实用新型内容
本实用新型为了克服现有技术的不足,其目的旨在提供一种共模扼流圈,其具有高饱和磁感应强度、高初始导磁率以及居里温度高等优点,其能优异地抑制电磁干扰。
本实用新型为了克服现有技术的不足,还提供一种滤波电路,其能优异地抑制由高频信号产生的电磁干扰。
本实用新型为了克服现有技术的不足,还提供一种抗电磁干扰的电源滤波器,其不仅能够优异地抑制电源开关中来自于电源开关内部和外来电网的电磁干扰,而且还能够抑制来自外来电网的浪涌电流和电源开关动作产生的尖峰电压或电流。
为了解决上述的技术问题,本实用新型提出的基本技术方案如下所述:
一种共模扼流圈,尤其的,包括由超微晶或非晶材料制成的磁环、第一绕组、第二绕组以及将第一绕组和第二绕组隔开的隔板;所述第一绕组绕制于所述超微晶或非晶材料制成的磁环外侧;所述第二绕组与所述第一绕组同向绕制于所述超微晶或非晶材料制成的磁环另一外侧。
进一步,所述隔板厚度为3.2mm。
进一步,所述隔板通过粘结剂设置在磁环中轴线上。
一种滤波电路,尤其地,所述滤波电路包括上述的共模扼流圈,还包括第一差模电容、第二差模电容、第一共模电容以及第二共模电容;
进一步,所述第一绕组的同名端和第一差模电容的一端连接,异名端分别与第二差模电容的一端和第一共模电容的一端连接,第一共模电容的另一端接至地端;所述第一差模电容的另一端和第二绕组的同名端连接,第二绕组的异名端分别与第二差模电容的一端和第二共模电容的一端连接,第二共模电容的另一端接至地端。
进一步,所述共模扼流圈的电感值为6.076mH,第一差模电容和第二差模电容的电容值均为105μF,第一共模电容和第二共模电容的电容值均为333nF。
一种抗电磁干扰的电源滤波器,尤其地,所述电源滤波器包括上述的滤波电路,还包括限压电路;所述限压电路和滤波电路连接,所述限压电路能够抑制由电源设备开关动作所引起的浪涌电压。
进一步,所述限压电路包括三个电阻、两个电容、一个稳压二极管以及一个MOS管;所述第一电阻的一端分别与火线和第一绕组的同名端连接,另一端分别与第二电阻的一端和稳压二极管的一端连接,第二电阻的另一端分别和第一电容的一端、MOS管的栅极以及第三电阻的一端连接,稳压二极管的另一端接至零线,第一电容的另一端和第二电容的一端连接,第二电容的另一端接至零线,第三电阻的另一端接至零线;所述MOS管的源极接至零线,漏极分别和第三电阻的另一端、第一差模电容的另一端以及第二绕组的同名端连接。
进一步,所述MOS管为增强型N沟道的开关管。
本实用新型的有益效果是:
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