[实用新型]一种非隔离LED恒流驱动芯片及电路有效
申请号: | 201520461211.5 | 申请日: | 2015-06-30 |
公开(公告)号: | CN204810610U | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 闾建晶;胡津华;沈吉 | 申请(专利权)人: | 华润矽威科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201103 上海市闵行区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 隔离 led 驱动 芯片 电路 | ||
1.一种非隔离LED恒流驱动芯片,其特征在于,所述非隔离LED恒流驱动芯片至少包括:
功率开关管,用于通过所述功率开关管的导通和截止实现LED灯串的恒流控制;
高压供电模块,连接于所述功率开关管的漏端,用于产生直流电压,为所述非隔离LED恒流驱动芯片供电;
浮地电流采样模块,连接于所述直流电压以及所述非隔离LED恒流驱动芯片的参考地之间,用于对流经所述功率开关管的电流进行采样;
恒流驱动模块,连接于所述浮地电流采样模块的输出端以及所述高压供电模块产生的直流电压之间,用于根据流经所述功率开关管的电流控制所述功率开关管,进而实现所述LED灯串的恒流控制。
2.根据权利要求1所述的非隔离LED恒流驱动芯片,其特征在于:所述高压供电模块包括:
结型场效应管、第一MOS管、第二MOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、以及比较器;
其中,所述结型场效应管的漏端连接所述功率开关管的漏端、所述结型场效应管的源端连接所述第一MOS管的漏端、所述结型场效应管的栅端连接所述非隔离LED恒流驱动芯片的参考地;所述第一MOS管的源端通过串联的所述第一电阻和所述第二电阻与所述非隔离LED恒流驱动芯片的参考地连接;所述第一MOS管的源端作为所述直流电压的输出端;所述比较器的正向输入端连接于所述第一电阻及所述第二电阻之间,所述比较器的反向输入端连接一参考电压,所述比较器的输出端连接所述第二MOS管的栅端,所述第二MOS管的源端连接所述非隔离LED恒流驱动芯片的参考地、所述第二MOS管的漏端同时与所述第三电阻的一端及所述第一MOS管的栅端连接,所述第三电阻的另一端连接所述第一MOS管的漏端。
3.根据权利要求1所述的非隔离LED恒流驱动芯片,其特征在于:所述浮地电流采样模块包括第一电容、开关以及减法器;其中,所述减法器的正向输入端和反向输入端分别连接所述第一电容的上极板以及所述直流电压,所述减法器的正向输入端和反向输入端之间通过所述开关连接,所述第一电容的下极板连接所述非隔离LED恒流驱动芯片的参考地。
4.根据权利要求1所述的非隔离LED恒流驱动芯片,其特征在于:还包括集成于所述非隔离LED恒流驱动芯片内的开路保护模块。
5.一种非隔离LED恒流驱动电路,其特征在于,所述非隔离LED恒流驱动电路至少包括:
电压输入模块,连接于所述电压输入模块的LED灯串,所述LED灯串的输出端连接电感,所述电感的另一端连接续流二极管的阳极,所述续流二极管的阴极连接所述输入电压,如权利要求1~4任意一项所述的非隔离LED恒流驱动芯片中功率开关管的漏端连接于所述电感与所述续流二极管之间;所述非隔离LED恒流驱动芯片的直流电压输出端连接一储能旁路电容,所述非隔离LED恒流驱动芯片的参考地通过采样电阻连接至功率参考地。
6.根据权利要求5所述的非隔离LED恒流驱动电路,其特征在于:所述电压输入模块包括连接交流电压的整流桥以及并联于所述整流桥输出端的稳压电容。
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