[实用新型]一种BIPV晶硅电池组件有效
申请号: | 201520454601.X | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN204792839U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 余冬冬;庄春泉;胡居涛 | 申请(专利权)人: | 江苏武进汉能光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/049;H02S20/22 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 徐琳淞 |
地址: | 213000 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 bipv 电池 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种BIPV晶硅电池组件,属于太阳能电池BIPV应用领域。
背景技术
BIPV(BuildingIntegratedPhotovoltaic)是将太阳能发电产品集成到建筑上的技术。BIPV适合大多数建筑,如屋顶、幕墙、大棚等形式都可以安装。在现代化建筑中,BIPV发电系统既具有发电功能,又具有建筑物构件和材料功能,甚至提升建筑物的美感,与建筑物形成完美的统一体。
现有的晶硅电池组件一般采用双玻封装结构,双玻晶硅电池电池组件有着美观、透光的优点,应用非常广泛,如:太阳能智能窗、太阳能凉亭、光伏建筑顶棚以及光伏玻璃幕墙等等。随着国内外光伏建筑一体化的推广,其商业市场将进一步扩大,对晶硅电池组件的要求也越来越高。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种外观优美、发电效率更高的BIPV晶硅电池组件。
实现本实用新型目的的技术方案是一种BIPV晶硅电池组件,包括由上往下依次层叠的表面玻璃、胶膜层一、晶硅电池芯片、胶膜层二、背板玻璃,还包括接线盒;所述晶硅电池芯片为全背电极晶硅电池芯片;所述晶硅电池芯片上设有多条电极栅线;所述晶硅电池芯片上设有多个开孔;所述开孔的位置避开电极栅线的布置。
所述开孔孔径大小为0.5-15mm。
所述接线盒安装在背板玻璃的底面上。
所述的胶膜层一和胶膜层二可采用EVA或PVB。
所述表面玻璃为超白高透玻璃。
所述背板玻璃为钢化玻璃。
采用了上述技术方案,本实用新型具有以下的有益效果:(1)本实用新型的晶硅电池芯片为全背电极晶硅电池芯片,全背电极晶硅电池芯片将正负两极金属接触均移到电池片背面,可使面朝太阳的电池片正面呈全黑色,完全看不到多数太阳能电池正面呈现的金属线,不仅为使用者带来同等面积更大的发电效率,且看上去更加美观。
(2)本实用新型的全背电极晶硅电池芯片上用激光穿透设有多个开孔,可以根据透光率的要求,合理设计开孔的孔径大小及位置分布,这种透光设计的方法不需要改变电池芯片的结构,减少了改造成本。
(3)本实用新型的背板玻璃为钢化玻璃,增加了整个组件的强度,延长了组件的使用寿命。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中
图1为本实用新型BIPV晶硅电池组件的结构示意图;
图2为图1的晶硅电池芯片开孔示意图;
附图中标记为:
表面玻璃1、胶膜层一2、晶硅电池芯片3、胶膜层二4、背板玻璃5、接线盒6、开孔7。
具体实施方式
(实施例1)
见图1至图2,一种BIPV晶硅电池组件,包括由上往下依次层叠的表面玻璃1、胶膜层一2、晶硅电池芯片3、胶膜层二4、背板玻璃5,还包括接线盒6,接线盒6安装在背板玻璃5的底面上。
表面玻璃1为超白高透玻璃。晶硅电池芯片3为全背电极晶硅电池芯片;晶硅电池芯片3上设有多条电极栅线8;晶硅电池芯片3上设有多个开孔7;开孔7孔径大小为0.5-15mm;开孔7的位置避开电极栅线8的布置。胶膜层一2和胶膜层二4可采用EVA或PVB。背板玻璃5为钢化玻璃。
以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏武进汉能光伏有限公司,未经江苏武进汉能光伏有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520454601.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种蜂窝陶瓷基座的COB LED模组
- 下一篇:一种LED高密度支架结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的