[实用新型]一种单片机自断电重启电路有效
| 申请号： | 201520392009.1 | 申请日： | 2015-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN204650218U | 公开（公告）日： | 2015-09-16 |
| 发明（设计）人： | 杨勇;宋昌林;陈方春 | 申请（专利权）人： | 四川汇源光通信有限公司 |
| 主分类号： | G05B19/042 | 分类号： | G05B19/042 |
| 代理公司： | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人： | 袁英 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 单片机 断电 电路 | ||
1.一种单片机自断电重启电路，与单片机连接，其特征在于：包括开关芯片U1、复位芯片U2、P沟道MOS管Q1、N沟道MOS管Q2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C1、电容C2、供电电源VCC和受控电源VCC＿CTRL，复位芯片的电源端与受控电源VCC＿CTRL连接，复位芯片的看门狗信号输入端与单片机的看门狗信号输出端连接，复位芯片的复位信号输出端与开关芯片U1的常开端连接，开关芯片U1的控制输入端通过电阻R1与受控电源VCC＿CTRL电连接，开关芯片U1的控制输入端通过电容C1接地，开关芯片U1的电源端与供电电源VCC电连接，开关芯片U1的公共端与N沟道MOS管Q2的栅极连接，N沟道MOS管Q2的栅极通过电阻R2与供电电源VCC连接，N沟道MOS管Q2的漏极通过电阻R3与供电电源VCC连接，N沟道MOS管Q2的栅极通过电容C2接地，N沟道MOS管Q2的源极接地，N沟道MOS管Q2的漏极与P沟道MOS管Q1的栅极连接，P沟道MOS管Q1的源极与供电电源VCC连接，P沟道MOS管Q1的漏极与受控电源VCC＿CTRL连接，受控电源VCC＿CTRL与单片机的电源端连接。
2.根据权利要求1所述的一种单片机自断电重启电路，其特征在于：所述开关芯片U1为单刀双掷开关。
3.根据权利要求2所述的一种单片机自断电重启电路，其特征在于：所述开关芯片U1的型号为TS5A3159。
4.根据权利要求1所述的一种单片机自断电重启电路，其特征在于：所述P沟道MOS管Q1的型号为SI2347DS，N沟道MOS管Q2的型号为BSS138。
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