[实用新型]一种薄膜光伏组件有效
申请号: | 201520382235.1 | 申请日: | 2015-06-05 |
公开(公告)号: | CN204792851U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 沈相健;王勇;杨艺苑;鲁海峰 | 申请(专利权)人: | 北京汉能光伏投资有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H02S40/34 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 徐琳淞 |
地址: | 101400 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 组件 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳能领域,尤其涉及一种多段式回路薄膜光伏组件。
背景技术
现有的薄膜光伏组件,都是一段式回路,整个薄膜光伏组件只设有一个二极管,并且二极管并不是保护组件的,而是保护整个光伏系统的。当某个薄膜发电电池发生故障时,接线盒内的二极管开始工作,将薄膜光伏组件从光伏系统中断开,从而达到保护整个光伏系统的作用,同时由于整个薄膜光伏组件被断开,该薄膜光伏组件在光伏系统中不再工作发电,从而降低了电站的整体效率。
众所周知,标准的晶体硅组件是由三个电气回路组成的,每个回路都设有一个保护二极管,当其中一个回路发生故障时,其回路上的保护二极管开始工作,断开有问题的回路,其余二个回路继续工作发电,这样就最大限度上降低了组件因故障导致的发电量降低,从而使电站效率最大化。
实用新型内容
本实用新型的目的是有效地解决现有薄膜光伏组件的一段式回路在某个薄膜发电电池故障后导致整个光伏系统被断开的问题。
实现本实用新型目的的技术方案如下:一种薄膜光伏组件,包括薄膜发电芯片、密封剂层、背板玻璃和接线盒,薄膜发电芯片、密封剂层和背板玻璃依次层叠,接线盒则和背板玻璃用硅胶粘接。将现有薄膜发电芯片的一段式回路改为多段式回路,每段回路由若干薄膜发电电池串联组成,再在各段回路之间刻绝缘线;在薄膜发电芯片的每段回路都设有正电性能引线和负电性能引线,在背板玻璃上设有不少于回路数量的引线孔,在接线盒中设有不少于回路数量的二极管,最后将正电性能引线和负电性能引线穿过背板玻璃上的引线孔和接线盒相连。
采用了上述技术方案,本实用新型具有以下的有益效果:
(1)本实用新型采用的多段式回路使每段回路都能互相独立,在其他回路故障的时候也能正常工作发电,使电站效率最大化。
(2)本实用新型采用的多段式回路有效解决了因为一个组件故障导致整个系统停止工作的问题,提高了光伏组件的可靠性。
(3)本实用新型对原有制造薄膜光伏组件的工艺未做大的改变,可利用现有材料和设备完成生产制造,降低了工艺升级成本,适合大规模生产。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中
图1为本实用新型的薄膜光伏组件的结构示意图;
图2为本实用新型的薄膜发电芯片的平面布置图;
图3为本实用新型的接线盒结构示意图;
图中:
1、薄膜发电芯片;2、密封剂层;3、背板玻璃;4、接线盒;5、回路;6、薄膜发电电池;7、绝缘线;8、正电性能引线;9、负电性能引线;10、引线孔;11、二极管。
具体实施方式
现结合说明书附图详细说明本实用新型。
图1所示为本实用新型的薄膜光伏组件的结构示意图,本实用新型薄膜光伏组件包括薄膜发电芯片1、密封剂层2、背板玻璃3和接线盒4;薄膜发电芯片1、密封剂层2和背板玻璃3依次层叠后层压,并使用高压釜工艺强化;接线盒4则和背板玻璃3用硅胶粘接。
图2所示为本实用新型的薄膜发电芯片1的平面布置图,薄膜发电芯片1上设有多段回路5,每段回路5由若干薄膜发电电池6串联组成,再在各段回路之间刻绝缘线7;在薄膜发电芯片1的每段回路5都设有正电性能引线8和负电性能引线9,在背板玻璃3上设有不少于回路数量的引线孔10,将正电性能引线8和负电性能引线9穿过背板玻璃3上的引线孔10和接线盒4相连。
图3所示为本实用新型的接线盒4结构示意图,接线盒4中设有不少于薄膜发电芯片1上回路数量的二极管11。当某个薄膜发电电池6发生故障、热斑或短路时,接线盒4内的二极管11开始工作,断开有问题的回路,其余回路继续正常工作,从而达到保护整个系统的作用。
以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的