[实用新型]适用于玻璃面板的磁控溅射装置有效
申请号: | 201520376338.7 | 申请日: | 2015-06-03 |
公开(公告)号: | CN204702800U | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 胡超川;傅强;李加海;朱磊;江雪峰 | 申请(专利权)人: | 安徽立光电子材料股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C03C17/00 |
代理公司: | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人: | 顾进 |
地址: | 239200 安徽省滁*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 适用于 玻璃 面板 磁控溅射 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种光学元件的工艺处理设备,尤其是一种适用于玻璃面板的磁控溅射装置。
背景技术
玻璃面板作为电子元件的相关材料进行使用时,需对玻璃面板进行磁控溅射处理,即通过对靶材施加此处,使得靶材表面离子反向沉淀至玻璃面板表面。然而,在现有的磁控溅射的过程中,磁场的位置相对固定,其致使靶材表面仅有局部区域可发生溅射,当靶材局部区域的离子完全沉淀后,其无法继续对玻璃面板进行加工处理,从而导致靶材的利用率及其使用寿命均难以得到保障。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种磁控溅射装置,其可对玻璃面板进行磁控溅射的过程中改善靶材的利用率。
为解决上述技术问题,本实用新型涉及一种适用于玻璃面板的磁控溅射装置,其包括有溅射工艺室,溅射工艺室两侧分别设置有一块磁性端块;每一块磁性端块均连接有移动丝杆,所述移动丝杆在溅射工艺室前端面与后端面所在平面之间,沿水平方向进行延伸,且其轴线平行于磁性端块的端面。
作为本实用新型的一种改进,所述溅射工艺室两侧设置有控制电机,控制电机的主轴通过皮带轮与移动丝杆相连接。采用上述设计,其可通过控制电机自行控制丝杆进行旋转,从而驱动其连通磁性端块进行自动的水平位移,以使得溅射工艺室内的靶材的溅射部位亦随磁场实时自动变化。
作为本实用新型的一种改进,所述溅射工艺室的侧端面设置有沿竖直方向延伸的安置槽体,所述磁性端块设置于安置槽体内部;所述控制电机固定于固定支杆之上,所述移动丝杆以及固定支杆的两端分别固定于安置槽体的两个侧端部之上。采用上述设计,其可通过安置槽体的设置使得移动丝杆与控制电机均可得到更好的支撑与固定效果,从而使得磁性端块在其驱动下可更为稳定的进行位移。
作为本实用新型的一种改进,所述磁性端块之上固定设置有支撑端块,支撑端块的轴线位置设置有支撑杆件,支撑杆件的两端分别固定于安置槽体的两个侧端部之上。采用上述设计,其可通过支撑杆件与支撑端块使得磁性端块在水平移动过程中亦可受其支撑,从而确保磁性端块保持稳定,同时亦可分担移动丝杆所承受重力,以改善其工作寿命。
作为本实用新型的一种改进,所述溅射工艺室的侧端面的底部设置有支撑槽体,支撑槽体内部设置有多个支撑轮,每一个支撑轮的轴线均垂直于磁性端块的端面,且其均与磁性端块的底端面相切。采用上述设计,其可藉由支撑槽体内的支撑轮在磁性端块水平移动过程中随其一同进行滚动,从而在进一步改善其支撑效果的同时,避免对磁性端块的移动造成影响。
采用上述技术方案的适用于玻璃面板的磁控溅射装置,其可通过丝杆的旋转带动磁性端块在工艺处理过程中实时进行水平位移,从而一方面使得溅射工艺室中的靶材与磁场之间保持相对运动,以使得靶材中发生溅射的部位实时变化,进而使得靶材的利用率得以显著改善;另一方面,靶材的利用率的提高致使其对于玻璃面板的整体加工效率亦可得以改善。
附图说明
图1为本实用新型示意图;
图2为本实用新型俯视图;
附图标记列表:
1—溅射工艺室、2—磁性端块、3—移动丝杆、4—控制电机、5—皮带轮、6—安置槽体、7—固定支杆、8—支撑端块、9—支撑杆件、10—支撑槽体、11—支撑轮。
具体实施方式
下面结合具体实施方式,进一步阐明本实用新型,应理解下述具体实施方式仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。需要说明的是,下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向,词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
实施例1
如图1与图2所示的一种适用于玻璃面板的磁控溅射装置,其包括有溅射工艺室1,溅射工艺室1两侧分别设置有一块磁性端块2;每一块磁性端块2均连接有移动丝杆3,所述移动丝杆3在溅射工艺室1前端面与后端面所在平面之间,沿水平方向进行延伸,且其轴线平行于磁性端块2的端面。
作为本实用新型的一种改进,所述溅射工艺室1两侧设置有控制电机4,控制电机4的主轴通过皮带轮5与移动丝杆3相连接。采用上述设计,其可通过控制电机自行控制丝杆进行旋转,从而驱动其连通磁性端块进行自动的水平位移,以使得溅射工艺室内的靶材的溅射部位亦随磁场实时自动变化。
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