[实用新型]一种晶片载盘

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体加工领域，尤其涉及一种组合式晶片载盘。

背景技术

现阶段制备外延生长晶圆（或晶片）的方法主要是通过金属有机化合物化学气相沉淀法（英文为Metal-organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD）实现，它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料，以热分解反应方式在衬底上进行气相外延，生长各种Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。

载盘作为外延生长过程中必不可少的衬底载体，其使用寿命也是外延生产成本的重要组成部分。目前，外延用载盘多是采用碳素石墨作为基体材料并制成一个圆盘的整体，然后再在其上涂上碳化硅保护层，形成最终的石墨载盘。这种方法所制成的载盘是一个均匀一致的整体，衬底的形状和/或尺寸改变时需要重新更换整个石磨盘，或是当载盘某个部位出现破损，此片载盘即做报废处理，造成资源的浪费，同时也增加了MOCVD设备的整体成本。

发明内容

针对上述问题，本实用新型旨在提供一种晶片载盘，其包括底盘和位于底盘上表面的托盘，所述底盘上表面与所述托盘下表面相互贴合，其特征在于：所述托盘由若干个带有晶片凹槽的石墨盘组装而成。

优选的，所述底盘与托盘之间、若干个石墨盘之间均通过固定件固定。

优选的，所述固定件为卡槽或螺栓。

优选的，所述固定件包括凸部以及与所述凸部相匹配的凹部。

优选的，所述石墨盘的个数大于或等于2个。

优选的，所述石磨盘为圆形、环形或扇形，所述托盘为其中一种或几种的组合。

优选的，所述晶片凹槽形状为三角形、圆形、多边形或不规则图形中的一种或几种的组合。

优选的，所述晶片凹槽的尺寸与所承载的晶片尺寸相匹配。

优选的，所述石墨盘的表面具有碳化硅保护层。

优选的，所述底盘为石墨盘或石英盘。

本实用新型至少包括以下有益效果：（1）晶片载盘为可拆卸式载盘，当托盘某个区域需要更换时无需报废整个载盘，只需要更换相应区域，降低外延设备成本；（2）由于底盘上表面不沉积外延生产工艺中残留的金属有机化合物，因此减少了底盘在使用过程中的更换次数，提高了其使用寿命；（3）晶片凹槽的尺寸可以与所承载晶片的尺寸相匹配，因此单个载盘可以兼顾不同形状、尺寸的晶片，满足外延生长的需要。

附图说明

附图是用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。

图1为本实用新型实施例1之托盘俯视图。

图2为本实用新型实施例1之晶片载盘剖视图。

图3为本实用新型实施例2之托盘俯视图。

图4为本实用新型实施例3之托盘俯视图。

图5为本实用新型实施例3之变形实施方式之托盘俯视图。

附图标注：1：底盘；2：托盘；21：圆形石墨盘；22：环形石墨盘；23：扇形石墨盘；3：卡槽；31：凸部；32：凹部；4：晶片凹槽。

具体实施方式

下面结合具体实施例和附图对本实用新型作进一步说明。

实施例1

参看附图1和附图2，本实施例提供的一种晶片载盘，包括底盘1和位于底盘上表面的托盘2，底盘1与托盘2通过固定件固定，固定件可为卡槽或螺栓，固定件包括凸部和与所述凸部相匹配的凹部。为使托盘2组装或拆卸方便，本实施例中优选固定件为卡槽3，底盘1上表面与托盘2下表面相互贴合。托盘2由若干个带有晶片凹槽4的石墨盘组装而成，若干个石墨盘通过卡槽3固定形成一个完整的、表面无间隙的托盘2整体，托盘2完全覆盖于底盘1上表面，防止在MOCVD机台中，金属有机化合物沉积在底盘1上表面，减少底盘1更换次数，增加其使用寿命，同时，托盘2与底盘1之间、托盘1整体均可自由拆卸组装，方便设备的维护与使用。石墨盘可以为圆形、环形或扇形，托盘2由其中一种或几种形状的石墨盘组合而成，石墨盘上晶片凹槽4形状为三角形、圆形、多边形或不规则图形中的一种或几种的组合，晶片凹槽4的尺寸与所承载的晶片尺寸相匹配，以适应不同形状、尺寸晶圆生产的需要。